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文檔簡介
1、隨著無線通信、雷達(dá)等信息系統(tǒng)的飛速發(fā)展,高速、高精度DAC(數(shù)模轉(zhuǎn)換器,Digital to analog converter)顯得日益重要。而在各種類型的DAC中,電流舵型架構(gòu)是實(shí)現(xiàn)高速高精度DAC的較佳選擇。本文基于55nm CMOS工藝,對(duì)高速高精度電流舵型DAC的系統(tǒng)架構(gòu)和關(guān)鍵單元電路模塊進(jìn)行了深入的研究與分析,設(shè)計(jì)了一款帶數(shù)字校正功能的精度12位,采樣速率200MHz的電流舵架構(gòu)DAC芯片。
首先,為了得到高采樣速率
2、DAC,分析了電流舵的零極點(diǎn)分布,設(shè)計(jì)了速度為200MHz的DAC。分析了電流舵型DAC的一些非理想效應(yīng),包括晶體管尺寸失配,閾值電壓失配,版圖電壓梯度和溫度梯度。在此基礎(chǔ)上,結(jié)合55nm工藝特點(diǎn)、關(guān)鍵單元模塊性能指標(biāo),確定了分段點(diǎn)為6+6的12位200MHz DAC。
其次,根據(jù)電流舵晶體管的失配誤差模型,晶體管的尺寸越大,失配越小,但是整個(gè) DAC電流舵部分面積越大,由此帶來的溫度、電壓梯度也很大,造成DAC的INL誤差增
3、大。本文縮小高6位溫度計(jì)編碼的電流單元面積,由原來的12位精度縮小為4位精度,極大減小電流舵部分面積。通過數(shù)字校正的方式,使用8位精度的偏置DAC對(duì)主DAC電流進(jìn)行修調(diào),提高其精度。
再次,根據(jù)電流舵型DAC的性能指標(biāo),基于55nm CMOS工藝設(shè)計(jì)電流舵型DAC的電流管的寬長比,開關(guān)電路和開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。由于數(shù)字校正算法的需要,設(shè)計(jì)了高精度高速度的電流比較器,設(shè)計(jì)了電流舵型DAC數(shù)字校正算法。
最后,基于55n
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