放電等離子體中XeI準(zhǔn)分子形成過(guò)程.pdf

1、該工作在較低氣壓條件下(0.5-10Torr),對(duì)Xe/I<,2>混合氣體直流輝光放電和高頻介質(zhì)阻擋放電等離子體中XeI準(zhǔn)分子形成過(guò)程進(jìn)行較為詳細(xì)的研究.通過(guò)對(duì)放電等離子體中熒光發(fā)射譜和電子溫度的分析得到了上述兩種放電等離子體中XeI準(zhǔn)分子的形成機(jī)理以及氣壓變化對(duì)準(zhǔn)分子形成的影響.實(shí)驗(yàn)表明:在兩種放電等離子體中主要形成B激發(fā)態(tài)的XeI準(zhǔn)分子,然后XeI(B)向基態(tài)躍遷,即B<,1/2>→X<,1.2>躍遷,同時(shí)發(fā)射紫外熒光.此躍遷屬于B

2、ound-Free躍遷,譜線強(qiáng)度具有明顯的波動(dòng)結(jié)構(gòu),最大峰值出現(xiàn)在253nm附近.XeI準(zhǔn)分子在兩種放電等離子體中形成機(jī)理不同,直流輝光放電等離子體中主要形成通道為:激發(fā)態(tài)的Xe原子與基態(tài)的I<,2>相互作用形成激發(fā)態(tài)的XeI準(zhǔn)分子,隨氣壓變化效率最大值出現(xiàn)在2.5Torr左右;介質(zhì)阻擋放電等離子體中主要形成通道為:離子態(tài)的Xe<'+>與離子態(tài)的I<,2><'->發(fā)生離子復(fù)合形成激發(fā)態(tài)的XeI準(zhǔn)分子和I<'*>,隨氣壓變化效率最大值出現(xiàn)