大面積高性能薄膜光探測(cè)器陣列的構(gòu)筑.pdf

1、薄膜光探測(cè)器由于具有高的響應(yīng)度、快的響應(yīng)速率廣泛應(yīng)用于通信、軍事、火災(zāi)報(bào)警、航空航天等領(lǐng)域中，并且隨著近年來(lái)可穿戴設(shè)備、可折疊、可彎曲設(shè)備的發(fā)展，人們不僅需要努力提高光探測(cè)器的響應(yīng)度、響應(yīng)速率、探測(cè)率等性能，而且需要尋求新的材料來(lái)適應(yīng)穿戴設(shè)備、可折疊、可彎曲設(shè)備等更高的要求。針對(duì)這些問(wèn)題，本文開(kāi)展了兩個(gè)方向的研究。
　　(1)通過(guò)CVD法生長(zhǎng)出14英寸大的石墨烯，采用一種不去除PMMA的無(wú)縫轉(zhuǎn)移方法成功地將生長(zhǎng)好的石墨烯轉(zhuǎn)至PMM

2、A/AB膠/PET基底上。石墨烯不僅完整性比較好，而且測(cè)得面電阻分布在200-500Ω sq-1，最低只有219Ω sq-1;光透過(guò)率為96.5％。將轉(zhuǎn)移得到的大面積石墨烯與條帶ZnSe結(jié)合構(gòu)筑的光探測(cè)器陣列，不僅具有較高的光電流，較大的響應(yīng)度，較高的探測(cè)率和較短的響應(yīng)時(shí)間，而且集成的條帶ZnSe/石墨烯/PMMA/AB膠/PET柔性的光探測(cè)器陣列可以作為高均勻性的高性能圖像傳感器。然而，器件在彎曲3次過(guò)程中，光電流急劇下降，彎曲3次之

3、后，光電流減小比較緩慢，達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，說(shuō)明該器件性能的機(jī)械持久性不夠好，這有待我們進(jìn)一步的改善。
　　(2)在ZnSe薄膜和Ni箔之間通過(guò)固相反應(yīng)的方式在Ni箔上界面限制外延生長(zhǎng)非層狀結(jié)構(gòu)的NiSe薄膜。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)NiSe薄膜生長(zhǎng)的機(jī)制是Ni與Zn的互擴(kuò)散形成NiSe薄膜，NiSe薄膜的晶粒尺寸達(dá)微米級(jí)。NiSe薄膜通過(guò)圖形化生長(zhǎng)構(gòu)造出的NiSe薄膜光探測(cè)器，不僅滿足了光探測(cè)器在傳感和圖像系統(tǒng)中的集成，而且以生長(zhǎng)的高質(zhì)量的NiSe