新型ZnO-CuInS2復(fù)合薄膜的制備及其光電性能研究.pdf

1、北京化工大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：翌趨日期：塑!生五：i關(guān)于論文使用授權(quán)的說明學(xué)位論文作者完全了解北京化工大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學(xué)

2、位期間論文工作的知識產(chǎn)權(quán)單位屬北京化工大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許學(xué)位論文被查閱和借閱；學(xué)?？梢怨紝W(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。保密論文注釋：本學(xué)位論文屬于保密范圍，在一年解密后適用本授權(quán)書。非保密論文注釋：本學(xué)位論文不屬于保密范圍，適用本授權(quán)書。作者簽名：盜逛日期：砷牛占1導(dǎo)師簽名：—盞牡日期：—上型生￡三一摘要新型ZnO／CuInS2復(fù)合薄

3、膜的制備及其光電性能研究摘要隨著人類社會(huì)的發(fā)展，礦石燃料的大量燃燒不僅過度消耗著有限的能源，而且導(dǎo)致了環(huán)境的嚴(yán)重破壞，因此人們逐漸將目光轉(zhuǎn)向可再生新能源。其中，太陽能以其清潔性和巨大的潛在經(jīng)濟(jì)效益受到廣泛的關(guān)注，而太陽能最佳利用途徑之一是太陽能電池，復(fù)合材料薄膜太陽能電池因其能吸收較寬波長范圍的特性而顯示出廣闊的前景。本研究采用恒電流法和水熱法在ITO導(dǎo)電玻璃上制備一層ZnO納米陣列，之后采用恒電位或方波脈沖電沉積的方法在ZnO納米薄膜

4、上附著一層CulnS2顆粒，考察薄膜的光電特性。首先采用恒電流法在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積上ZnO納米陣列，然后采用恒電位方法在ZnO納米柱的間隙里沉積上CulnS，納米顆粒得到復(fù)合薄膜。相比較于單純的CulnS2薄膜，其光電流增加至15倍。比較不同電位下沉積CuInS：得到的復(fù)合薄膜的光電性能，復(fù)合薄膜的光電流在較高的電位下，其電流均大于CuInS2薄膜。但電流的大小并無明顯的規(guī)律只是隨著沉積電位的增加，復(fù)合薄膜的光電流在整體上是逐漸增大