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文檔簡介
1、該文成功地在普通載玻片上制備出高C軸擇優(yōu)取向、薄膜表面平整、致密、粒子大小均勻的純ZnO薄膜.為了更好地優(yōu)化制備條件,研究了Sol-Gel的熱分解過程和Sol-Gel的形成機理.在此基礎(chǔ)上結(jié)合當前熱點,制備出Al<'3+>離子摻雜的ZnO透明導電薄膜,重點研究了影響薄膜光電性能的幾個因素,優(yōu)化出該工藝條件下的最佳參數(shù).我們首先選用二水醋酸鋅為前驅(qū)體,質(zhì)子親合力強的溶劑單乙醇胺為穩(wěn)定劑,制備出以異丙醇或乙二醇甲醚為溶劑的Sol-Gel,經(jīng)
2、過預處理、燒結(jié)處理制備出純ZnO薄膜,采用AFM、SEM、X射線衍射詳細地研究薄膜的表面結(jié)構(gòu)和表現(xiàn)粗糙度,借助UV-VIS透射光譜等手段對薄膜的光透性能進行詳細地研究.其次,在Sol-Gel的熱分解過程和Sol-Gel的形成機理的研究中,通過熱分析分析了Sol-Gel的熱分解過程,采用紅外光譜、X射線衍射和SEM等手段分析了不同溫度熱處理的Sol-Gel和借助質(zhì)譜等分析不同溫度熱處理的Sol-Gel所分解的氣體.最后,采用Sol-Gel
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