摻鉺硅及摻鉺多孔硅的光學、電學性質.pdf

1、該論文的主要工作集中于對分子束外延(MBE)生長的摻鉺硅(Si:Er)及其電化學腐蝕后的摻鉺多孔硅(PSi:Er)的光、電學性質的研究.該論文主要工作及創(chuàng)新點如下:(1)研究MBE生長的Er、O共摻硅的摻雜類型.我們嘗試用一些電學測量的初步結果(C-V,I-V曲線)對MBE生長的摻Er硅的摻雜類型進行定性的描述與討論,并結合一些間接的研究手段,如,對其進行電化學腐后的光學特性及表面形貌的研究,來確定我們用MBE生長的鉺氧共摻硅是施主型的

2、.(2)我們提出一種新的方法來制備摻Er多孔硅.這種方法的優(yōu)點在于能制備任意厚度并且Er離子沿深度方向分布均勻的多孔硅,而且摻入的Er<'3+>與氧共存于硅柱內部,不需要再進行高溫后處理.光致發(fā)光譜(PL)的測量結果表明,這種摻Er多孔硅的紅外發(fā)射具有很小的線寬和很低的溫度淬滅.(3)我們發(fā)現(xiàn),一種PSi:Er/PSi的雙層結構有助于改善Er的發(fā)光性質.其底層PSi中受激發(fā)的發(fā)生載流子能將能量有效地傳遞給表層PSi:Er中的發(fā)光中心Er