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文檔簡介
1、本文主要研究了金屬蒸發(fā)真空(MEVVA)離子源制備的摻鉺富硅二氧化硅的結(jié)構(gòu)、電學(xué)和光學(xué)性能和利用分子束外延(MBE)生長的摻鉺多層膜結(jié)構(gòu)及其發(fā)光特性。另外,鉬(100)表面外延生長氧化鎂(100)薄膜上淀積鈀與水反應(yīng)也是研究的一部分。本文的第一部分主要集中在摻鉺富硅二氧化硅的結(jié)構(gòu)、電學(xué)和光學(xué)性能的研究。在第三章,我們利用MEVVA離子源制備了高濃度摻鉺富硅二氧化硅發(fā)光薄膜。在第四章,本文研究了在不同參數(shù)條件下的摻鉺富硅二氧化硅發(fā)光特性。
2、第五章討論了摻鉺富硅二氧化硅在可見區(qū)和近紅外區(qū)的發(fā)光相關(guān)性。在激光泵浦下,摻鉺富硅二氧化硅中納米硅產(chǎn)生的激子與Er產(chǎn)生強(qiáng)耦合得到證實(shí)。在高摻雜鉺濃度下,主要鉺的激活過程式是通過納米硅產(chǎn)生的激子的Auger過程把能量傳遞給Er3+,激發(fā)態(tài)Er3+輻射躍遷從而產(chǎn)生1.54μm光發(fā)射。在第六章設(shè)計、制備和測試了MBE生長的摻鉺硅多層膜。此薄膜由(Er,O)共摻硅層和摻氧硅層交替而成。發(fā)光測試表明,摻鉺硅多層膜中產(chǎn)生一個尖銳的強(qiáng)1.54μm光發(fā)
3、射,顯示弱的溫度猝滅行為。這被解釋為在摻氧硅層中產(chǎn)生的激子通過隧穿過程把能量傳遞給(Er,O)共摻硅層中的Er,從而1.54μm光發(fā)射增強(qiáng)。最后部分,我們利用HREELS、UPS和LEED等手段研究了在Mo(100)表面外延MgO(100)薄膜上淀積不同量的Pd對其水的吸附的影響。結(jié)果表明,Pd的存在,MgO(100)表面對水的吸附明顯增強(qiáng),即使在低暴露量下(例如0.01L的水)水的多層膜結(jié)構(gòu)也容易在其表面形成。另外,水在Pd淀積的Mg
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