摻鉺富硅二氧化硅的結(jié)構(gòu)、電學(xué)及光學(xué)性質(zhì)與鉬（100）表面外延生長(zhǎng)氧化鎂（100）薄膜上淀積鈀與水反應(yīng)的研究.pdf

1、本文主要研究了金屬蒸發(fā)真空(MEVVA)離子源制備的摻鉺富硅二氧化硅的結(jié)構(gòu)、電學(xué)和光學(xué)性能和利用分子束外延(MBE)生長(zhǎng)的摻鉺多層膜結(jié)構(gòu)及其發(fā)光特性。另外，鉬(100)表面外延生長(zhǎng)氧化鎂(100)薄膜上淀積鈀與水反應(yīng)也是研究的一部分。本文的第一部分主要集中在摻鉺富硅二氧化硅的結(jié)構(gòu)、電學(xué)和光學(xué)性能的研究。在第三章，我們利用MEVVA離子源制備了高濃度摻鉺富硅二氧化硅發(fā)光薄膜。在第四章，本文研究了在不同參數(shù)條件下的摻鉺富硅二氧化硅發(fā)光特性。

2、第五章討論了摻鉺富硅二氧化硅在可見(jiàn)區(qū)和近紅外區(qū)的發(fā)光相關(guān)性。在激光泵浦下，摻鉺富硅二氧化硅中納米硅產(chǎn)生的激子與Er產(chǎn)生強(qiáng)耦合得到證實(shí)。在高摻雜鉺濃度下，主要鉺的激活過(guò)程式是通過(guò)納米硅產(chǎn)生的激子的Auger過(guò)程把能量傳遞給Er3+，激發(fā)態(tài)Er3+輻射躍遷從而產(chǎn)生1.54μm光發(fā)射。在第六章設(shè)計(jì)、制備和測(cè)試了MBE生長(zhǎng)的摻鉺硅多層膜。此薄膜由(Er,O)共摻硅層和摻氧硅層交替而成。發(fā)光測(cè)試表明，摻鉺硅多層膜中產(chǎn)生一個(gè)尖銳的強(qiáng)1.54μm光發(fā)

3、射，顯示弱的溫度猝滅行為。這被解釋為在摻氧硅層中產(chǎn)生的激子通過(guò)隧穿過(guò)程把能量傳遞給(Er,O)共摻硅層中的Er，從而1.54μm光發(fā)射增強(qiáng)。最后部分，我們利用HREELS、UPS和LEED等手段研究了在Mo(100)表面外延MgO(100)薄膜上淀積不同量的Pd對(duì)其水的吸附的影響。結(jié)果表明，Pd的存在，MgO(100)表面對(duì)水的吸附明顯增強(qiáng)，即使在低暴露量下(例如0.01L的水)水的多層膜結(jié)構(gòu)也容易在其表面形成。另外，水在Pd淀積的Mg