氧化物薄膜納米疊層工藝及電阻特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本研究采用原子層沉積技術（ALD）來制備 ZnO/Al2O3薄膜，通過調整ALD脈沖序列， ZnO/Al2O3薄膜中的ZnO成分比例可在0-100％范圍內調節(jié)，調整沉積溫度與前驅體的通氣時間，可以改善ZnO/Al2O3薄膜的包覆性。利用SEM和ICP-AES法對薄膜表面形貌和成分進行分析，并通過對不同溫度、不同熱處理時間、不同熱處理氣氛三個因素的調控，來探究退火處理對薄膜電阻特性的影響。結果表明：隨著前驅體反應時間的增加和沉積溫度的提升

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