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文檔簡介
1、本研究采用原子層沉積技術(shù)（ALD）來制備 ZnO/Al2O3薄膜，通過調(diào)整ALD脈沖序列， ZnO/Al2O3薄膜中的ZnO成分比例可在0-100％范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，調(diào)整沉積溫度與前驅(qū)體的通氣時間，可以改善ZnO/Al2O3薄膜的包覆性。利用SEM和ICP-AES法對薄膜表面形貌和成分進(jìn)行分析，并通過對不同溫度、不同熱處理時間、不同熱處理氣氛三個因素的調(diào)控，來探究退火處理對薄膜電阻特性的影響。結(jié)果表明：隨著前驅(qū)體反應(yīng)時間的增加和沉積溫度的提升
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