TD-LTE終端基帶芯片物理層控制系統(tǒng)分析研究與驗(yàn)證.pdf

1、LTE（Long Term Evolution）是第四代移動(dòng)通信的主要技術(shù)之一，主要采用了正交頻分復(fù)用和多輸入輸出技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)來提升系統(tǒng)的性能。本文在LTE的基礎(chǔ)上，采用了載波聚合技術(shù)，在與3GPP LTE全面兼容的同時(shí)，大大提高了無線通信系統(tǒng)的最高數(shù)據(jù)傳輸率等指標(biāo)。在20MHz頻譜帶寬下峰值速率達(dá)到600Mbps、上行峰值速率達(dá)到300Mbps。
　　本文以TD-LTE為背景，以設(shè)計(jì)研發(fā)基帶芯片為依托，重點(diǎn)研究物理層控制系統(tǒng)在

2、基帶芯片系統(tǒng)中的應(yīng)用。本文主要從三方面展開，首先介紹了物理層的理論部分，分析LTE的關(guān)鍵技術(shù)以及物理層的幀結(jié)構(gòu)及數(shù)據(jù)處理流程和控制過程，對(duì)物理層鏈路建立模型并映射到基帶芯片的系統(tǒng)中去，實(shí)現(xiàn)物理層算法鏈路在基帶芯片系統(tǒng)中的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。然后在此基礎(chǔ)上介紹了物理層控制系統(tǒng)，對(duì)主控模塊OpenRISC1200、片上總線、主要功能模塊進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，并且對(duì)物理層控制的關(guān)鍵策略如中斷控制策略、交互控策略、數(shù)據(jù)控制策略進(jìn)行了設(shè)計(jì)，同時(shí)研究和設(shè)計(jì)了可調(diào)