LaOBiS2中的過渡金屬摻雜效應.pdf

1、超導物理研究領(lǐng)域革命性的發(fā)展往往來自于新型超導體材料的發(fā)現(xiàn)。尤其最近幾年，最典型的突破就是的高溫銅基和鐵基超導體。2012年，新型層狀超導體Bi4O4S3和LaO1-xFxBiS2的發(fā)現(xiàn)引起了各國專家的興趣，比較晶體結(jié)構(gòu)可知它們都具有一種類似NaCl結(jié)構(gòu)的雙BiS2層，即所謂的超導層。隨后，許多相似的超導材料被合成出來，而合成的關(guān)鍵方法就是化學摻雜。本論文中，我們進行了多種化學元素摻雜來探究REOBiS2基的摻雜效應以期發(fā)現(xiàn)新的超導體。

2、采用兩步固相反應的實驗制備方法，我們首先進行了Mo、Ti、Ir、Nd、Ta五種過渡金屬元素對LaOBiS2阻隔層的摻雜探索，發(fā)現(xiàn)只有能穩(wěn)定形成正五化合價的Ta5+元素成功的誘導了超導電性，印證了該體系超導電性由電子摻雜產(chǎn)生而非空穴摻雜;其次，我們用Pb元素分別嘗試了LaOBiS2和YbOBiS2超導層和阻隔層的摻雜。結(jié)果來看，母相LaOBiS2兩個不同位置上的摻雜都沒有實現(xiàn)超導轉(zhuǎn)變，而對電輸運性產(chǎn)生了明顯的影響，可能不同位置的摻雜引入了