單雜志摻雜的銅氧化物超導體中準粒子散射相干現(xiàn)象的研究.pdf

1、銅氧化物超導體的發(fā)現(xiàn)是高溫超導研究的一項重大進展。大量的實驗和理論研究表明銅氧化物超導體中的超導電性與常規(guī)超導體有很大不同，是由電子間的強關聯(lián)效應而不是電子-聲子相互作用導致的。本文在重整化的哈伯德模型的框架下，考慮單雜質效應，研究了銅氧化物高溫超導體中的準粒子散射相干現(xiàn)象。
　　第一章里我們簡單介紹了高溫超導體的發(fā)展歷程，以及在各個時期的研究熱點。另外還簡單介紹了銅氧化物超導體結構和相圖的共同特征，以及目前高溫超導的實驗進展和理

2、論研究現(xiàn)狀。
　　第二章里我們首先引入了描述電子間強關聯(lián)效應的哈伯德模型，由此導出可以有效描述CuO2平面內(nèi)低能物理過程的t?J?U模型。同時介紹可以較好處理電子強關聯(lián)體系的Gutzwiller近似理論。
　　第三章里我們通過計算傅里葉變換局域態(tài)密度分別隨能量和動量的變化，得到了單雜質摻雜情形下銅氧化物高溫超導材料中準粒子散射相干的主要特征。結果表明，空穴摻雜和電子摻雜銅氧化物超導體都在布里淵區(qū)中出現(xiàn)超導能隙為零的節(jié)點，因此