C摻雜與氧化物摻雜對MgB2超導體的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于較高的超導轉(zhuǎn)變溫度(Tc),原材料廉價和無弱連接效應,MgB2超導體被認為有可能取代傳統(tǒng)的Nb基超導體,在制冷機工作溫區(qū)(20 K～30 K),特別是在核磁共振成像(MRI)有可能成為工業(yè)化應用的超導材料。但是缺乏合適的釘扎中心和較低的上臨界場(Hc2)阻礙了MgB2超導體在20 K溫區(qū)大規(guī)模工業(yè)應用。引入納米級缺陷、細化MgB2超導體晶粒和改善晶粒間的連接性是提高MgB2超導體臨界電流特性的有效途徑。本文選擇化學摻雜作為主要的研究

2、手段引入有效釘扎中心,提高MgB2超導體的載流能力。
　　 第一章簡要的介紹了超導體的發(fā)展和MgB2超導材料的研究背景,分析了目前所存在的主要問題,提出了本文的研究目標和內(nèi)容。
　　 第二章主要從其超導機理、三個基本物理性質(zhì)以及影響這些因素的各種條件對超導體進行了闡述。并簡單的介紹了MgB2超導體的各種制備方法以及測試儀器。
　　 第三章研究了不同質(zhì)量百分比氧化銅摻雜和四氧化三鐵摻雜對MgB2超導體各種超導性能的

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