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1、在今數(shù)字化、信息化、智能化已經(jīng)廣泛普及,存儲(chǔ)器也已經(jīng)非常廣泛地應(yīng)用于我們生產(chǎn)生活的各方各面,并且隨著時(shí)代和技術(shù)的不斷向前發(fā)展,存儲(chǔ)器對(duì)我們的作用越來(lái)越重要,我們對(duì)存儲(chǔ)器的要求也越來(lái)越高。這使得我們要追求小型化、存儲(chǔ)密度更高、讀寫(xiě)更快、壽命更長(zhǎng)和功耗更低的存儲(chǔ)器。為了獲得更加優(yōu)異特性的新型存儲(chǔ)器,許多研究者們都在探尋常規(guī)非易失存儲(chǔ)器的替代品。在研究中發(fā)現(xiàn),許多過(guò)渡金屬氧化物,鈣鈦礦氧化物和有機(jī)物等都存在電阻開(kāi)關(guān)的特性,它們都具有應(yīng)用于非易
2、失性阻變存儲(chǔ)器的潛能。電阻開(kāi)關(guān)的內(nèi)涵非常豐富,機(jī)理也各有差異,并且許多機(jī)制到目前為止還沒(méi)有完全研究清楚,甚至存在很多爭(zhēng)議。
BaTiO3是一種重要的鈣鈦礦氧化物半導(dǎo)體材料,顯現(xiàn)出很多吸引人的特性,越來(lái)越多的人關(guān)注它。BaTiO3具有較高的介電常數(shù)、良好的鐵電、壓電性能以及電阻開(kāi)關(guān)特性,主要用于制造高容多層電容器、多層基片、各種傳感器、半導(dǎo)體材料和非易失性阻變存儲(chǔ)器。本文主要包括以下內(nèi)容:
采用磁控濺射鍍膜技術(shù)制備了C
3、u/BaTiO3/Ag三明治結(jié)構(gòu)的阻變存儲(chǔ)器件,通過(guò)X射線(xiàn)衍射儀(XRD)分析薄膜的物相。掃描電子顯微鏡(SEM)測(cè)量薄膜的橫截面的厚度。進(jìn)一步應(yīng)用Keithley2400或者電化學(xué)分析儀對(duì)其進(jìn)行阻變性能測(cè)試。器件表現(xiàn)出優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,包括高的開(kāi)關(guān)比、很強(qiáng)的抗疲勞性和很長(zhǎng)的保持記憶特性。根據(jù)測(cè)得器件的電學(xué)性質(zhì)I-V曲線(xiàn),可知器件的電阻開(kāi)關(guān)是雙極性的,并且應(yīng)用電子的俘獲和釋放模型來(lái)解釋所得到的雙極性電阻開(kāi)關(guān)的性質(zhì)。最后,我們利用磁控濺射的
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