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文檔簡介
1、隨著科技的迅速發(fā)展對納米材料需求越來越廣泛，納米尺寸的鐵電薄膜由于其具有良好的鐵電性、熱釋電性、壓電性以及非線性光學(xué)等特性，在光學(xué)器件、感應(yīng)器件、微波器件以及高密度非揮發(fā)性存儲器件等工程領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，已成為目前納米科學(xué)研究的熱點之一。
本文基于與時間相關(guān)的Ginzburg-Landau(TDGL)方程，對夾持在金屬電極間的ABO3型鐵電薄膜進行了鐵電性能模擬；討論了光生伏打效應(yīng)對納米尺度下ABO3薄膜鐵電性能的影
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