反射Z-掃描方法測(cè)量半導(dǎo)體InN的光學(xué)非線性.pdf

1、半導(dǎo)體材料一般具有較強(qiáng)的光學(xué)非線性效應(yīng)，在半導(dǎo)體激光器、光開關(guān)、光限幅、光信息處理等方面具有重要的應(yīng)用價(jià)值。新型的Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體InN是直接能隙半導(dǎo)體材料，禁帶寬度對(duì)應(yīng)紅外波段，同時(shí)載流子濃度、表面電子濃度和電子遷移率很高，在紅外光電器件、非線性光子器件等方面具有很大的潛力。
　　近年來(lái)，對(duì)氮化銦光學(xué)非線性方面的研究主要集中在InN薄膜材料，本文主要利用反射Z-掃描技術(shù)研究InN體材料在可見波段的光學(xué)非線性性質(zhì)，并利用透射Z

2、-掃描技術(shù)研究其在近紅外波段的非線性吸收特性。
　　本文從反射 Z-掃描技術(shù)的理論出發(fā)，數(shù)值模擬了線性折射、線性吸收、入射角度等物理參數(shù)對(duì)開孔反射 Z-掃描反射光能量的影響，通過分析討論得出開孔反射 Z-掃描不受非線性吸收的影響的條件。通過半透明半導(dǎo)體材料ZnSe的透射Z-掃描測(cè)量中掃描樣品和移動(dòng)透鏡的實(shí)驗(yàn)，結(jié)合其移動(dòng)透鏡反射 Z-掃描實(shí)驗(yàn)，比較實(shí)驗(yàn)結(jié)果得出移動(dòng)透鏡進(jìn)行反射 Z-掃描實(shí)驗(yàn)的方案是可行的，而且與掃描樣品的反射 Z-掃