PbS半導體納米材料非線性光學特性研究.pdf

1、 論文的第一章介紹了半導體納米材料非線性光學性質的研究背景、現(xiàn)狀，概述了半導體納米粒子共振非線性和非共振非線性光學性質，并通過理論模型的建立而探索提高納米微粒三階極化率的有效途徑。單光束Z掃描技術是研究材料非線性光學性質的一種重要實驗方法，本文給出了該方法詳細的理論描述。在第三章，從固體能帶理論的有效質量近似模型出發(fā)研究半導體納米晶的電子結構，并解釋了半導體量子點尺寸對三階非線性的影響。詳細闡述了材料光限幅機理及光限幅參數(shù)。第四章主要

2、對實驗結果進行了系統(tǒng)的分析。通過對五種不同空間形態(tài)和尺寸的PbS半導體納米粒子的Z-掃描和非線性透射實驗，系統(tǒng)的分析研究了PbS半導體納米材料的三階非線性光學性質和光限幅特性，并詳細研究材料尺寸及維數(shù)對三階非線性效應的影響。實驗結果表明所測的五種PbS樣品均具有自聚焦和雙光子吸收的特性。在所測得的尺寸范圍內，非線性折射率并不嚴格的依賴與材料的維數(shù)和尺寸。非線性透射實驗結果顯示半導體納米材料具有好的光限幅行為，限幅行為主要與其三階光學非線