納米氫氧化鎂晶須的制備及其分散性研究.pdf

1、納米氫氧化鎂晶須是綠色阻燃增強的新型功能材料。目前，對納米氫氧化鎂晶須的研究正處于實驗階段，對晶須分散性的研究相對較少。本文主要針對納米氫氧化鎂晶須的制備及分散性開展系統(tǒng)的實驗研究，并得出較好的實驗結(jié)果。
　　本文以菱鎂礦煅燒制備出的堿式硫酸鎂晶須(MgSO4·5Mg(OH)2·3H2O簡稱MOS)為原料，NaOH為沉淀劑，采用水熱法合成了納米氫氧化鎂晶須。采用單因素實驗法，探討MOS初始料漿濃度、NaOH/MOS摩爾比、助劑種類

2、及添加量、水熱反應(yīng)溫度、反應(yīng)時間、攪拌轉(zhuǎn)速、MOS前驅(qū)物性能等因素對合成產(chǎn)物性能的影響。利用SEM、XRD、EDS、FT-IR、TG-DSC等先進的測試手段對合成產(chǎn)物的微觀形貌、物相組成、元素含量、表面基團、熱穩(wěn)定性進行了測試分析;應(yīng)用統(tǒng)計學(xué)規(guī)律，以晶須總數(shù)≥200為統(tǒng)計總數(shù)，單根晶須占晶須總數(shù)的百分比稱為單根晶須含量，來表征納米氫氧化鎂晶須的分散性。
　　通過對納米氫氧化鎂晶須制備過程中各影響因素的不斷調(diào)整優(yōu)化，得出最佳制備參數(shù)

3、為:MOS初始料漿濃度0.03mol/kg、反應(yīng)溫度180℃、反應(yīng)時間4h，NaOH/MOS摩爾比4.5∶1、攪拌轉(zhuǎn)速100r/min，添加劑種類為硬脂酸鈉、硬脂酸鈉/MOS質(zhì)量比2％、MOS前驅(qū)物平均直徑≤200nm、MOS前驅(qū)物平均長徑比＞100。最佳制備條件下合成品須平均直徑85nm，平均長度14μm，平均長徑比＞100，晶須直徑D、長度L、及長徑比L/D分布范圍較窄，晶須直徑D在80～95nm范圍占統(tǒng)計晶須總數(shù)的57％，晶須長度