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1、二氧化釩(VO2)作為電子強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系的典型代表,在溫度為340K時(shí),會(huì)發(fā)生金屬絕緣體相變(MIT),同時(shí)晶格結(jié)構(gòu)也會(huì)發(fā)生轉(zhuǎn)變。在相變前后,其電阻率會(huì)發(fā)生3~5個(gè)量級(jí)的突變,同時(shí)由反鐵磁特性轉(zhuǎn)變?yōu)轫槾?,而且紅外波段的透過(guò)率也發(fā)生巨大的變化?;谝陨溪?dú)特的相變特征,VO2材料引起了人們極大的興趣,顯示出廣闊的應(yīng)用前景,比如在紅外激光防護(hù)、非制冷紅外探測(cè)、智能窗、記憶存儲(chǔ)以及超級(jí)電容等方面。
但是限制VO2應(yīng)用的一個(gè)瓶頸問(wèn)題就是其高
2、于室溫的相變溫度(Tc),因此降低二氧化釩的相變溫度對(duì)推動(dòng)其實(shí)際應(yīng)用具有重要的意義。目前降低二氧化釩相變溫度的方法主要有以下幾種:摻雜高價(jià)金屬元素、氫化、電場(chǎng)誘導(dǎo)氧空位、界面應(yīng)力、離子注入以及電壓調(diào)控等。其中高價(jià)摻雜和界面應(yīng)力雖然可以有效降低VO2的相變溫度,但是很難實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)控而且調(diào)控過(guò)程不可逆;VO2的氫化處理是一個(gè)可逆過(guò)程,但是氫化VO2在空氣中不夠穩(wěn)定;通過(guò)離子液體來(lái)施加電場(chǎng)誘導(dǎo)氧空位的產(chǎn)生很容易對(duì)晶態(tài)薄膜的質(zhì)量產(chǎn)生損傷;通過(guò)電
3、壓來(lái)調(diào)控VO2的相變溫度不僅可以連續(xù)可調(diào),而且過(guò)程可逆,因而受到了人們廣泛的關(guān)注。
雖然最近幾年關(guān)于電壓調(diào)控二氧化釩相變?cè)絹?lái)越成為研究熱點(diǎn),但是其相變調(diào)控機(jī)理一直沒(méi)有定論,電場(chǎng)效應(yīng)和焦耳熱效應(yīng)這兩種機(jī)理解釋一直存在極大爭(zhēng)議。因此在本論文中我們擬從一個(gè)全新的角度來(lái)解釋這個(gè)相變調(diào)控機(jī)理。另外,我們還研究了二氧化釩復(fù)合材料體系,拓展了其應(yīng)用范圍。本論文主要研究?jī)?nèi)容包括:
(1)利用分子束外延(OMBE)方法在藍(lán)寶石襯底上生
4、長(zhǎng)出高質(zhì)量的二氧化釩單晶薄膜,并研究了電壓調(diào)控二氧化釩相變過(guò)程的時(shí)間特性,從熱力學(xué)平衡的角度出發(fā),研究了電壓,局域溫度和時(shí)間這三者之間的關(guān)系,給出了焦耳熱相變機(jī)理的直接證據(jù)。
(2)利用OMBE方法在藍(lán)寶石襯底上制備了二氧化釩薄膜和鐵磁性材料Ni以及反鐵磁材料NiO的多層膜結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)了二氧化釩的相變行為會(huì)對(duì)鐵磁材料的矯頑力產(chǎn)生影響,拓展了二氧化釩相變?cè)陔姶挪牧现械膽?yīng)用;
(3)用OMBE方法在p-GaN襯底上生長(zhǎng)二氧
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