Cascode GaN晶體管與GaN二極管應用研究.pdf

1、隨著電力電子技術高頻化和高功率密度化的發(fā)展，開關電源對電力電子器件性能和可靠性的要求日益苛刻，以硅(Si)材料為基礎的傳統(tǒng)電力電子功率器件已逐步逼近其理論極限。作為第三代寬禁帶半導體材料的典型代表，氮化鎵(GaN)具有比Si更優(yōu)異的物理特性，是高頻、高溫、高壓和大功率應用的優(yōu)良半導體材料，具有廣闊的市場前景。2010年以來，GaN功率器件的研究成果日益顯著，但與碳化硅(SiC)器件相比，其器件特性與應用的研究尚處于初步階段，有待更深入和

2、更系統(tǒng)的研究。
　　本文主要研究對象為Cascode GaN晶體管和GaN二極管。首先介紹GaN功率器件的研究背景與國內外發(fā)展現(xiàn)狀，對比分析單體增強型GaN晶體管與CascodeGaN晶體管的優(yōu)缺點及適用場合。其次基于器件結構的分析與器件特性的測試，研究了Cascode GaN晶體管與GaN二極管的靜態(tài)特性，給出相應的靜態(tài)特性數(shù)學模型。然后基于Cascode GaN晶體管帶寄生參數(shù)的等效電路，分析其動態(tài)特性，給出開通與關斷損耗的數(shù)

3、學模型，并通過仿真與實驗進行驗證;通過實驗手段測試了GaN和SiC二極管反向恢復情況，并進行對比分析。本文還提出適合高頻場合的Cascode GaN晶體管過流保護電路，并通過仿真與實驗驗證了該電路的可行性。最后從功率變換器的角度，把GaN功率器件應用于Buck變換器與單相全橋逆變器中，基于本文得出的GaN器件靜態(tài)特性與動態(tài)特性的數(shù)學模型對變換器進行損耗分析，并搭建實驗樣機，用實驗驗證了理論分析的正確性。
　　本課題所做的理論分析、