CRAM存儲體系結構及優(yōu)化算法研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著半導體技術日新月異的發(fā)展，非易失性存儲器(NVM)已經日益進入我們的生活。硫族相變存儲器CRAM屬于新一代非易失性存儲器，在存儲密度、存取時間、功耗、可靠性上都有很大的優(yōu)勢，有望取代當前盛行的閃存(Flash)。開發(fā)CRAM存儲體系，并應用于計算機系統(tǒng)，對半導體產業(yè)的發(fā)展有極大的促進作用。
　　本文基于傳統(tǒng)計算機已有的存儲層次，設計了基于CRAM存儲體系框架。并根據(jù)CRAM存儲單元的物理性能，分別從緩存-主存和主存-輔存這兩個

2、方面對CRAM存儲器體系結構進行了設計研究。
　　相變存儲器讀寫驅動電路與以往的存儲器都有很大區(qū)別，但在功能模塊上與閃存近似。本文仔細研究了閃存和 CRAM分別在存儲單元和存儲陣列上的區(qū)別和聯(lián)系，設計了針對CRAM存儲芯片的寫驅動電路，并使用Hspice軟件進行了仿真分析，得到了CRAM存儲器讀寫時需要的脈沖電路波形。
　　相變存儲器用于計算機系統(tǒng)后，由于其獨特的讀寫特性，需要在系統(tǒng)調度方面進行優(yōu)化研究。本文建立了系統(tǒng)任務調

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