PIN限幅二極管微波擊穿效應機理研究.pdf

1、在雷達系統(tǒng)前端中，除氣體放電T/R管之外，PIN限幅器是保護后面敏感器件不被自身泄漏功率和臨近大功率注入造成損傷的唯一器件。了解和掌握PIN限幅器在HPM電磁環(huán)境下?lián)p傷機制與規(guī)律對微波前端HPM防護技術發(fā)展具有重要意義。
　　論文開展了單級PIN限幅器HPM擊穿效應機理理論和實驗研究，利用Synopsys公司半導體物理工藝與器件模擬軟件Sentaurus建立了PIN限幅二極管二維TCAD模型，優(yōu)化選取合適物理模型，進行HPM效應仿

2、真。首先，完成了器件正向、反向直流特性和微波輸入、輸出特性仿真驗證；其次，搭建注入效應實驗系統(tǒng)并進行單級PIN限幅器注入實驗，通過注入實驗數(shù)據(jù)與仿真結果對比分析進一步優(yōu)化器件模型參數(shù)；最后，論文開展了EMP脈沖和微波脈沖作用下PIN限幅器瞬態(tài)響應仿真和結果數(shù)據(jù)對比分析；通過觀察EMP脈沖和微波脈沖下電流密度、電場分布以及溫度分布隨時間變化的關系，總結了PIN二極管微波擊穿損傷效應機理規(guī)律。
　　EMP脈沖作用下，隨著脈沖反向偏壓的

3、增大，PIN二極管內部電場逐漸向I層擴展并在PN結邊緣部分率先發(fā)生雪崩擊穿；由于空間電荷效應引起的負阻效應導致產生電流絲現(xiàn)象，同時器件溫度上升。另一方面，雪崩電離率與溫度成負相關，因此造成電流絲的移動；而在電流絲移動的過程中，電流絲形狀和器件內部最大電場強度基本不變且兩者位置重疊，但最大溫升與電流絲有位置延后并呈現(xiàn)越來越小的趨勢；當器件溫升達到1000K時，電流絲不再移動直至器件發(fā)生局部熱二次擊穿。
　　在大功率微波脈沖作用下，當