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1、4H-SiC材料具有許多優(yōu)于硅材料的優(yōu)良性質(zhì)，已成為國(guó)際上新材料、微電子和光電子領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。4H-SiC PIN二極管在很多領(lǐng)域有用途。本文針對(duì)4H-SiC材料中的缺陷對(duì)SiC PIN二極管特性的影響進(jìn)行研究，介紹了PIN二極管的結(jié)構(gòu)與工作機(jī)理。 本文在介紹了SiC材料的缺陷，缺陷的起源和特性，以及缺陷表征的方法的基礎(chǔ)上，研究了堆垛層錯(cuò)的形成以及分析了肖克萊型堆垛層錯(cuò)對(duì)SiC PIN二極管特性的影響的機(jī)理。 采用器件
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