非晶帶GMI和AGMI效應(yīng)及基于三維磁傳感器的空間姿態(tài)檢測(cè)儀研究.pdf

1、在現(xiàn)代測(cè)量技術(shù)中，通過(guò)磁場(chǎng)能測(cè)定很多物理量，磁傳感器技術(shù)的提高在一定程度上能推動(dòng)測(cè)量技術(shù)的發(fā)展，而弱磁場(chǎng)及微弱磁場(chǎng)的測(cè)量技術(shù)在很大程度反映了磁傳感器的發(fā)展水平。本文研究了基于巨磁阻抗(GMI)效應(yīng)的弱磁傳感器，該傳感器在室溫下，對(duì)弱磁場(chǎng)具有極高的靈敏度，在電子測(cè)量領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。在GMI效應(yīng)弱磁傳感器研究的基礎(chǔ)上，本文根據(jù)地磁場(chǎng)的矢量性進(jìn)一步設(shè)計(jì)了空間姿態(tài)檢測(cè)儀，實(shí)現(xiàn)了GMI效應(yīng)的一種應(yīng)用。
　　首先本文分別對(duì)GMI和非對(duì)

2、稱巨磁阻抗(AGMI)效應(yīng)進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)AGMI效應(yīng)能有效改善GMI效應(yīng)在零磁場(chǎng)附近的特性。通過(guò)查閱國(guó)內(nèi)外相關(guān)文獻(xiàn)及研究成果，分析影響GMI效應(yīng)的因素及產(chǎn)生AGMI效應(yīng)的方法。通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了激勵(lì)電流的頻率、幅值對(duì)GMI效應(yīng)的影響及不同激勵(lì)方式下的GMI效應(yīng)和AGMI效應(yīng)。本文選擇脈沖電流退火的鈷基非晶帶為敏感材料，采用正弦波激勵(lì)，對(duì)GMI和AGMI效應(yīng)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，結(jié)果表明:在橫向激勵(lì)方式下，激勵(lì)電流頻率為4MHz，幅值為10mA時(shí)

3、，鈷基非晶帶既有較高的最大阻抗變化率，又有較大的阻抗磁靈敏度;非晶帶在通有一偏置直流的情況下，會(huì)出現(xiàn)AGMI效應(yīng)，對(duì)GMI效應(yīng)在零磁場(chǎng)附近的特性有一定改善;若采用正交激勵(lì)（同時(shí)有激勵(lì)電流流過(guò)非晶帶和繞于非晶帶上的線圈，兩者產(chǎn)生的磁場(chǎng)正交）的方式，同樣也能明顯改善GMI效應(yīng)在零磁場(chǎng)附近的特性，且極大提高最大阻抗變化率和阻抗磁靈敏度;若采用正交激勵(lì)及直流偏置的方式，將產(chǎn)生明顯的AGMI效應(yīng)，極大改善GMI效應(yīng)在零磁場(chǎng)附近的特性，進(jìn)一步提高最

4、大阻抗變化率和阻抗磁靈敏度。
　　其次設(shè)計(jì)了單軸的鈷基非晶帶AGMI效應(yīng)弱磁傳感器，它采用了正交激勵(lì)及直流偏置，信號(hào)處理電路包括高頻信號(hào)發(fā)生電路、自動(dòng)增益控制(AGC)穩(wěn)幅電路、V/I轉(zhuǎn)換電路、放大電路、檢波電路、濾波電路及差動(dòng)放大電路。對(duì)傳感器進(jìn)行試驗(yàn)標(biāo)定及數(shù)據(jù)分析，所得傳感器性能指標(biāo):-1.0Oe～1.0Oe量程，靈敏度1.6704V/Oe，線性度1.78％FS，滿足了弱磁場(chǎng)的測(cè)量要求。
　　最后設(shè)計(jì)了三軸正交激勵(lì)的GM