電化學沉積法制備一維金屬納米線陣列.pdf

1、一維銅納米線、一維鎳納米線由于其納米級的尺寸以及線性的結構，具有與傳統(tǒng)材料明顯不同的特征，在電子功能材料、微納米加工、納米電子器件等領域有著廣泛的應用。本文以多孔陽極氧化鋁(PAA)為模板，采用直流電化學沉積法制備一維銅納米線陣列和一維鎳納米線陣列，研究不同的制備工藝對納米線陣列的影響。
　　本文首先采用稀磷酸溶液對殘留在PAA模板表面的氧化鋁阻擋層進行了預處理，然后使用離子噴鍍儀對PAA模板表面金屬化處理，在PAA模板上噴鍍了一

2、層導電金層。實驗表明:用低濃度的磷酸溶液短時間內腐蝕PAA模板能有效去除PAA模板上的氧化鋁阻擋層，同時對PAA模板孔道的影響很小;經離子噴鍍儀對PAA模板表面四次噴鍍導電金層后，噴鍍上的金層能完全覆蓋在PAA模板表面且結合良好，金顆?；ハ嘟佑|，金層致密;另外，較低的初始電流所制得的金層致密度更高，金顆粒之間的空隙更小。
　　以金屬化后的PAA作為制備模板，本文分別采用恒電位與恒電流電化學沉積技術制備一維銅納米線陣列。結果表明:采

3、用恒電流與恒電位這兩種電化學沉積技術均能成功的制備出一維銅納米線陣列;采用恒電位技術制備銅納米陣列時，電位需保持較低值，制得的一維銅納米線排列整齊，高度有序，長度均衡一致;而采用恒電流技術制備銅納米線陣列沉積效率高于恒電位技術，能快速制備出較長的銅納米線陣列，但制得的銅納米線長短不一，而且電流密度越大，納米線陣列長度越長，納米線之間的長度差距越大，起伏越明顯。
　　本文還采用恒電流直流電沉積技術制備了一維鎳納米線陣列，著重研究了溶