金屬催化化學(xué)腐蝕法制備硅納米線的研究.pdf

1、隨著電子信息時代的到來，與傳統(tǒng)電子技術(shù)相比，以集成電路為基礎(chǔ)的微電子技術(shù)實現(xiàn)了器件與電路的微小型化而逐漸成為當(dāng)今信息產(chǎn)業(yè)的基石。但是，隨著研究的進展，研究者們發(fā)現(xiàn)由于受經(jīng)典物理學(xué)理論的限制，使得依靠傳統(tǒng)微電子技術(shù)來減小電子器件尺寸越來越難，但摩爾定律使得科學(xué)工作者們可以在工藝與電子器件發(fā)展之間的矛盾中尋求新的工藝手段和材料，而一維半導(dǎo)體材料因其顯著特性引起了學(xué)者們的廣泛關(guān)注。硅納米線因在兩個維度上都達到納米尺寸且在光學(xué)、光電子學(xué)領(lǐng)域都有

2、巨大應(yīng)用潛力而成為引起廣泛研究的一維半導(dǎo)體材料。
　　本文采用金屬催化化學(xué)腐蝕法制備硅納米線，這種方法制備過程簡單且成本低廉。并且在實驗過程中通過改變一次腐蝕的腐蝕液濃度、腐蝕時間、腐蝕溫度及改變二次刻蝕時間來比較這些因素對制備的硅納米線的表面形貌的影響。實驗發(fā)現(xiàn)在刻蝕過程中刻蝕時間對樣品形貌影響巨大，刻蝕時間短樣品無法生成硅納米線，而刻蝕時間過長時則會導(dǎo)致硅片被刻蝕透，最后溶解在刻蝕液中。而本文嘗試通過其他實驗方法制備硅納米線比