線陣碲鎘汞探測器的光致反常響應及閂鎖效應研究.pdf

1、紅外探測器能將人眼不可見的光波轉變?yōu)槿藗兛梢岳玫男问剑瑥亩梢垣@得更多的目標信息。這一重大優(yōu)勢促使其迅速發(fā)展并在工業(yè)、生活、科學研究和國防建設等領域得到了廣泛的應用。碲鎘汞探測器由于其優(yōu)良的性能成為目前紅外探測的主流產品，關于其特性的研究也自然成為紅外探測技術領域的研究熱點之一。激光輻照效應研究是研究材料和器件性能的重要手段，本文利用這一手段，系統(tǒng)研究了極端光照條件下線陣碲鎘汞探測器的反常響應特性和閂鎖效應，其研究結果可提升我們對碲鎘

2、汞材料和器件特性的認識，對改進材料和器件的性能具有重要意義。論文主要研究工作如下：
　　1、實驗發(fā)現了不同于以往的過飽和降壓和零壓輸出現象，即探測器光響應電壓達到飽和后，隨著光能量的增大，光響應電壓V2下降；當降至與基底信號V1的輸出電壓值相同時，V1隨V2一起下降，直至降到零伏。研究表明，當激光能量大于探測器飽和閾值后，在探測芯片兩端形成的開路電壓使得P極偏置電壓Vb升高是導致探測器過飽和降壓、零壓輸出的主要原因。
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3、、實驗發(fā)現不同的致損單元在無光輻照時存在高低不同的電壓輸出；當有光輻照時，致損單元仍可繼續(xù)光響應，但損傷單元光譜響應的敏感區(qū)向短波方向移動（藍移），如致損單元比未損單元對1064nm的光響應更加敏感。研究表明致損單元耗盡層的電阻變化是導致受損單元無光輻照時仍存在不同程度電壓輸出的主要因素；致損單元碲鎘汞Hg1-xCdxTe材料組分x增大是致損單元光譜響應區(qū)藍移的主要原因。
　　3、實驗采用不同于以往波長和脈寬的激光成功復現線陣碲鎘