低LIGBT襯底漏電流新結(jié)構(gòu)研究.pdf

1、LIGBT作為一類(lèi)重要的柵控雙極功率器件，既具有MOSFET的控制功率小、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)速度高的優(yōu)點(diǎn)，又有雙極型功率晶體管的飽和壓降低、電流密度大、電流處理能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，因此LIGBT器件被廣泛地應(yīng)用在各種功率集成電路以及電力電子系統(tǒng)中。但在工作中，由于電導(dǎo)調(diào)制作用，陽(yáng)極會(huì)向漂移區(qū)注入大量空穴，其中部分空穴會(huì)在正漏極電壓作用下直接注入到襯底，從而產(chǎn)生嚴(yán)重的襯底漏電流，影響電路性能。為降低LIGBT的襯底漏電流，本文提出如

2、下兩類(lèi)新結(jié)構(gòu)：
　　（1）針對(duì)自熱效應(yīng)嚴(yán)重，擊穿電壓低的的問(wèn)題，提出了分層SO ILIGBT結(jié)構(gòu)：新結(jié)構(gòu)引入了埋氧層陽(yáng)極和中間窗口，通過(guò)利用襯底參與承擔(dān)電壓體和利用硅窗口傳導(dǎo)熱量，提高了整個(gè)器件的耐受電壓并且降低了自熱效應(yīng)。仿真結(jié)果表明：新結(jié)構(gòu)的擊穿電壓提高1.5倍以上，工作時(shí)的熱點(diǎn)溫度下降15K以上，同時(shí)襯底漏電流低至7×10-12A/μm，開(kāi)關(guān)速度基本不變。
　　（2）針對(duì)第一種結(jié)構(gòu)工藝復(fù)雜，電流導(dǎo)通能力不夠強(qiáng)的問(wèn)題，提