電源芯片漏電流失效分析及良率提升研究.pdf

1、電源管理芯片是每部移動(dòng)電子設(shè)備不可或缺的部分，它直接影響著移動(dòng)電子設(shè)備的功耗和待機(jī)時(shí)間。在設(shè)計(jì)和制造工藝交互作用下產(chǎn)生的缺陷所造成的漏電流失效是制約電源管理芯片產(chǎn)品良率的主要因素。
　　在芯片能夠批量上市之前，它首先必須達(dá)到能以可接受的良率(Yield)進(jìn)行批量制造的水平。但從集成電路設(shè)計(jì)到工藝制造存在一個(gè)良率逐步提升的過(guò)程，需要一定的時(shí)間。芯片的設(shè)計(jì)驗(yàn)證完成時(shí)間還要再加上這個(gè)良率時(shí)間才是真正的產(chǎn)品上市時(shí)間，因此良率的快速提升成為

2、集成電路芯片設(shè)計(jì)公司打開(kāi)市場(chǎng)，獲得利潤(rùn)的迫切要求。
　　本文選取一款市面在用的移動(dòng)電子設(shè)備上的電源管理芯片開(kāi)展漏電流失效分析及良率提升研究。在數(shù)據(jù)分析方面，抽樣出100片晶圓，對(duì)它的漏電流針測(cè)(Chip Probe，CP)并對(duì)采樣數(shù)據(jù)采用累積疊加分布的方式制作分布圖。在電性分析方面，采用4156C(精密半導(dǎo)體參數(shù)分析儀)測(cè)量I-V曲線，采用紅外發(fā)光顯微鏡(EmissionMicroscopy，EMMI)和激光誘導(dǎo)電阻率變化測(cè)試儀(

3、Optical Beam Induced ResistanceChange，OBIRCH)定位缺陷位置。然后用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy，AFM)和納米探針系統(tǒng)(NanoProbe)分析失效模式。在物理分析方面，采用物理剝層、聚焦離子束顯微鏡(Focused Ion Beam，F(xiàn)IB)、掃描電鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)、缺陷化學(xué)成分分析和電壓襯度（Voltag