碳化硅陶瓷復合材料的制備及其吸波性能研究.pdf

1、吸波材料在軍用民用領域有重要的價值和意義。本研究以不同粒徑，不同晶型的碳化硅粉體和陶瓷結合劑為初始原料制備了碳化硅陶瓷復合材料，并研究了碳化硅陶瓷復合材料的結構、機械性能、介電性能和吸波性能。
　　碳化硅陶瓷復合材料中，玻璃態(tài)的陶瓷結合劑與碳化硅顆粒形成濕潤和包裹結構，在掃描電鏡下觀查不到碳化硅顆粒的尖銳棱角。材料的斷裂截面在掃描電鏡下顯示出非晶的微觀結構，證實材料的脆性斷裂發(fā)生在玻璃態(tài)的陶瓷結合劑。復合材料的晶相結構主要是碳化硅

2、，由于高溫處理下玻璃態(tài)的陶瓷結合劑的析晶作用，復合材料中有SiO2晶相存在。
　　碳化硅陶瓷復合材料表現(xiàn)出較高的抗彎強度。粒徑5μm的β-SiC粉體制備碳化硅陶瓷復合材料，當碳化硅含量為70wt％，材料達到抗彎強度達到71.06MPa。
　　碳化硅陶瓷復合材料在X-band有調(diào)制的介電性能。復合材料的介電常數(shù)實部較大，總體上表現(xiàn)出隨著碳化硅含量升高而升高的規(guī)律;相對于實部，復合材料的介電常數(shù)虛部數(shù)值較小，碳化硅含量對其調(diào)制作

3、用不明顯。由于復合材料介電常數(shù)實部較大，虛部較小的介電特性，材料的介質(zhì)損耗小于0.2。復合材料對電磁波表現(xiàn)出有限的吸波能力。10μm粒徑的β-SiC粉體制備的碳化硅陶瓷復合材料在碳化硅含量為90wt％時有最小的反射率-5.178dB(樣品厚度2mm)。
　　碳化硅粒度、晶型和材料燒成溫度對碳化硅陶瓷復合材料機械性能、介電性能的影響得到了研究。碳化硅的粒度、晶型對復合材料的機械性能、介電性能以及吸波性能影響無明顯規(guī)律。當碳化硅粉體為