DNA-AgNPs憶阻器的構(gòu)建及特性研究.pdf

1、憶阻器是具有記憶效應(yīng)的非線性電阻，被稱為第四個(gè)基本電路元件，將其集成在電路中可以大幅度提高數(shù)據(jù)處理器的性能。自2008年惠普實(shí)驗(yàn)室成功構(gòu)建出憶阻器的原型開始，國際上掀起了記憶電阻的研究熱潮，不同材料和不同結(jié)構(gòu)的器件的研究工作相繼開展。有機(jī)憶阻器件因其工藝簡單、成本低、存儲(chǔ)密度高等優(yōu)點(diǎn)受到了廣大科研人員的關(guān)注。DNA具有獨(dú)特的雙螺旋結(jié)構(gòu)、自組裝等優(yōu)勢，有望制備成為新型的有機(jī)憶阻器件。本文主要進(jìn)行DNA憶阻器件的構(gòu)建和特性研究，并采用銀納米

2、顆粒(Ag NPs)提高其憶阻性能。
　　本文采用旋涂法制備了摻雜和嵌入Ag NPs兩種結(jié)構(gòu)類型的DNA憶阻器，并對這兩種器件的工作機(jī)制和憶阻性能分別進(jìn)行了探討。所做的主要工作如下：
　　1.以檸檬酸三鈉為還原劑，制備出不同尺寸的Ag NPs，并用原子力顯微鏡(AFM)和透射電子顯微鏡(TEM)對其形貌進(jìn)行表征；
　　2.構(gòu)建了結(jié)構(gòu)不同的Al/Ag NPs-DNA-CTMAB/ITO和Al/DNA-CTMAB/Ag N

3、Ps/DNA-CTMAB/ITO兩種憶阻器；
　　3.研究了摻雜和嵌入Ag NPs對器件憶阻特性的影響，以及顆粒尺寸和掃描電壓幅值對兩種結(jié)構(gòu)類型器件憶阻性能的影響；
　　4.探討了退火對摻雜Ag NPs器件憶阻性能的影響，實(shí)現(xiàn)了單極向雙極性憶阻開關(guān)的轉(zhuǎn)換；
　　5．探討了電壓極性對嵌入Ag NPs層器件電學(xué)特性的影響。
　　6.最后，根據(jù)器件的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果，提出器件中存在載流子直接隧穿、陷阱俘獲和脫陷以及氧