參數(shù)對憶阻器的特性影響分析.pdf

1、隨著科學技術的迅猛發(fā)展，電子信息技術的更新?lián)Q代也變的越來越快。人們追求更高的集成度，更快的速度，更大的存貯空間，正是這些需求大大促進了電子信息技術的向前發(fā)展。在電子信息技術的發(fā)展趨勢下，過去7年間納米級別的憶阻器的成功研制隨即在科學界掀起了一股研究熱潮。過去幾年間，無數(shù)的科研工作者投身其中，關于憶阻器的理論研究層出不窮，關于憶阻器的電子產(chǎn)品也在緊張的開發(fā)中。目前關于憶阻器的理論研究大部分主要集中在憶阻器的應用上，比如:基于憶阻器的濾波器

2、、基于憶阻器的控制器、基于憶阻器的神經(jīng)網(wǎng)絡等等。這些已經(jīng)取得的成績將為未來憶阻器的發(fā)展打下堅實的基礎。目前，從學術界對憶阻器研究成果來看，關于憶阻器的一些內部參數(shù)諸如:長度、橫截面積、參雜度等對憶阻器的性能影響研究相對較少。而外界參數(shù)諸如:電壓幅值、電壓頻率等對憶阻器的性能影響研究也相對較少，這無疑大大限制了憶阻器的發(fā)展和憶阻器產(chǎn)品的問世。正是基于此，本文研究了一些憶阻器的典型參數(shù)以及外界參數(shù)對憶阻器的特性影響分析。
　　本文主要

3、詳盡介紹了目前學術界應用最為廣泛的兩種憶阻器模型，即惠普憶阻器模型和自旋憶阻器模型，建立了其各自對應的Simulink模型，并通過仿真得到了相關特性曲線。在介紹惠普憶阻器模型的時候，本文也討論了常見的兩種窗函數(shù)和一種簡易窗函數(shù)對惠普憶阻器的特性影響分析。隨后本文從電壓幅值和電壓頻率的角度出發(fā)，研究了外圍激勵即電壓幅值和電壓頻率對這兩種憶阻器特性的影響分析，通過仿真的結果可以看到，無論是電壓的幅值還是頻率都會對憶阻器的特性產(chǎn)生一定的影響，

4、通過對這些結果的展示和分析，本文給出了相關的結論。接下來本文從這兩種憶阻器的內部結構參數(shù)著手，因為憶阻器自問世以來，一直都在強調其尺寸體積等優(yōu)勢，因而本文重點分析了長度參數(shù)對惠普憶阻器和自旋憶阻器的特性影響，通過研究分析和仿真結果的展示，長度參數(shù)確實對憶阻器的特性有較大程度的影響，綜合比較這些結果之后，本文給出了詳細的結果分析說明，得出了有關結論。最后，本文從橫截面積參數(shù)的角度出發(fā)，研究了橫截面積參數(shù)對惠普憶阻器和自旋憶阻器的特性影響，