鋯酸鉛薄膜電容器的儲(chǔ)能行為及其應(yīng)用研究.pdf

1、反鐵電材料由于其在現(xiàn)代高新技術(shù)中起著越來(lái)越重要的作用而成為國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)，而具有復(fù)合鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的PbZrO3基反鐵電材料是一類(lèi)最有發(fā)展?jié)摿Φ姆磋F電材料。其中，摻雜離子的PbZrO3基反鐵電薄膜電容的制備工藝及其儲(chǔ)能性能，具有重要的理論意義和應(yīng)用價(jià)值。
　　本論文采用化學(xué)溶液沉積法(CSD)結(jié)合快速熱處理工藝(RTA)制備鋯酸鉛(PbZrO3,PZO)基反鐵電薄膜，研究了這類(lèi)薄膜材料的摻雜改性、相變、反鐵電、介電、儲(chǔ)能等性能。

2、r>　　采用化學(xué)溶液沉積法結(jié)合快速熱處理工藝在Pt/Ti/SiO2/Si襯底上制備了不同Pr3+離子含量Pb1-1.5xPrxZrO3(PPrZ)薄膜，研究了Pr3+離子含量對(duì)薄膜形貌結(jié)構(gòu)、能量存儲(chǔ)和介電性質(zhì)的影響。經(jīng)過(guò)600℃快速熱處理后的PPrZ薄膜呈偽立方相鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，PPrZ薄膜表面致密，無(wú)裂紋。不同濃度的Pr3+離子的摻雜對(duì)PbZrO3反鐵電薄膜的電學(xué)性能影響巨大，通過(guò)改變離子濃度可以得到不同儲(chǔ)電性能的鋯酸鉛薄膜樣品。研究表明

3、，適量Pr3+離子的摻雜可以有效增強(qiáng)PbZrO3反鐵電薄膜的電學(xué)性能。
　　論文最后主要分析了新型儲(chǔ)能電容器在高密度儲(chǔ)能電容器領(lǐng)域在軍事方面、混合動(dòng)力車(chē)輛、生物醫(yī)學(xué)、物聯(lián)網(wǎng)底層傳感網(wǎng)節(jié)點(diǎn)上潛在的應(yīng)用。重點(diǎn)介紹了PbZrO3反鐵電薄膜電容器在為物聯(lián)網(wǎng)底層傳感網(wǎng)節(jié)點(diǎn)供電上的應(yīng)用。
　　論文結(jié)尾對(duì)全文進(jìn)行總結(jié)，并對(duì)進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)提出改進(jìn)方案。本論文研究工作還有很大的改進(jìn)空間，可以通過(guò)改變實(shí)驗(yàn)條件，得到性能更優(yōu)的鋯酸鉛反鐵電薄膜電容器。