金屬化薄膜電容器損耗的工藝研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文通過對金屬化薄膜電容器損耗的理論分析，建立損耗（金屬部分）分析模型，確定了影響金屬化薄膜電容器損耗的主要工藝因素，并以金屬化薄膜電容器CL21-400V-0.1μF，CL21-400V-0.047μF，CBB21B-Z-400V-0.22μF；CBB21-400V-0.1μF，CBB21B-Z-400V-0.33μF，CBB21A-400V-0.01μF等典型產(chǎn)品為例，采用原材料比較和工藝參數(shù)優(yōu)化法，找出了現(xiàn)有工藝條件下降低和穩(wěn)定金

2、屬化薄膜電容器損耗的有效措施： 1）低方阻金屬化膜和邊緣加厚金屬化膜的使用有利于金屬化薄膜電容器損耗的降低。 2）噴金工序中，CBB21B-400V-0.1μF電容器在噴金槍距離為160mm時噴金，比傳統(tǒng)的200mm時噴金具有明顯的優(yōu)越性，能夠經(jīng)受500V10次充放電后，10kHz和100kHz損耗角正切值基本保持不變或僅有微小的變化，其它類型的電容器比照該種電容器適當(dāng)調(diào)整噴金槍的距離也可得到最佳的工藝效果，達到穩(wěn)定電容

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