基于復合鹽-堿法制備硒化物半導體納米材料及其相關性能研究.pdf

1、ZnSe，NiSe2，PbSe是三種重要的硒化物半導體光電材料，有一系列優(yōu)異的物理和化學性能，并且都屬于直接帶隙半導體，在光電子納米器件和醫(yī)學領域有廣闊的應用前景。因此，本文采用一種特殊的溶劑熱法系統(tǒng)地摸索并且成功掌握了這三種硒化物微納米材料的合成技術，實現(xiàn)對晶體結構、維度、微觀形貌的調(diào)控，并深入研究了他們的光學性質(zhì)，主要研究內(nèi)容包括：
　　利用復合熔融鹽-堿媒介（SACM）法成功制備了片狀的ZnSe微納米材料，所謂復合熔融鹽-堿

2、媒介法就是采用熔融的鹽和堿作為反應溶劑代替?zhèn)鹘y(tǒng)的水或者有機溶劑，在低溫條件下通過化學反應合成納米材料。本實驗研究了不同影響因素對產(chǎn)物的形貌和尺寸的影響，并且提出了ZnSe在復合鹽-堿體系中的生長機理。通過產(chǎn)物的紫外光譜算出它的能帶帶隙大約為3.25eV，故我們選用紫外光進行了一系列的光催化降解實驗。實驗表明，在低功率紫外光照條件下，樣品的光催化降解效率最高可達到87.32％。
　　在復合熔融鹽-堿媒介（SACM）法的基礎上，我們又

3、成功合成了兩種不同元素比例的八面體結構的硒化鎳（NiSe2/Ni0.85Se）納米材料。實驗也探討了反應時間和水量對產(chǎn)物形貌的變化，并采用XRD、EDS和SEM分析。對此我們也提出了產(chǎn)物的形成機理以及產(chǎn)物發(fā)生轉(zhuǎn)變的過程分析。通過兩種不同硒化鎳的紫外光譜計算它們的能帶帶隙大約為1.47eV和1.75eV。本實驗還研究了NiSe2納米八面體在不同的介質(zhì)中的電化學性能，測定了其CV曲線。實驗表明，NiSe2在堿性的NaOH溶液里的電化學活性比

4、在中性的KNO3溶液里要好而且CV曲線重復性良好，所以產(chǎn)物具有很好的重復利用性。
　　PbSe納米粒子是典型的窄禁帶寬度（Eg=0.27 eV at300 K)的IV-VI族半導體納米晶材料。我們利用復合熔融鹽媒介（CMS）法和復合熔融鹽-堿媒介（SACM）法成功合成了兩種不同形貌的PbSe納米材料。通過SEM和TEM分析，我們提出了PbSe在不同體系中的生長機理，探討了立方結構PbSe形成的原因。
　　該論文有圖33幅，表