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文檔簡介
1、ZnO是直接寬帶隙半導(dǎo)體,成本較低,資源豐富,無污染。通過元素摻雜改變ZnO的能帶結(jié)構(gòu),獲得P型ZnO和本征ZnO半導(dǎo)體,仍是ZnO在光電領(lǐng)域如光伏電池等的研究熱點之一。
論文基于第一性原理采用CASTEP模塊的GGA近似方法,計算了純ZnO、Al摻雜、N摻雜和Al-N共摻雜ZnO的電子結(jié)構(gòu)。計算結(jié)果顯示,當Al濃度或N濃度增加,ZnO:Al和ZnO:N的帶隙值均減小;隨著N/Al比增加,Al-N共摻雜ZnO(ANZO)的帶隙
2、值增大。純ZnO的價帶頂和導(dǎo)帶底分別由O2p和Zn4s電子態(tài)占據(jù)。ZnO:Al的導(dǎo)帶底由Zn4s和Al3p電子態(tài)決定,當Al濃度增加,Al3p電子態(tài)向禁帶低能區(qū)域移動導(dǎo)致帶隙值減小。ZnO:N的價帶頂由N2p電子態(tài)決定,可實現(xiàn)p型ZnO,但N2p電子態(tài)的局域化特性使空穴被束縛在EF附近,是N在ZnO中溶解度低和穩(wěn)定性差的原因。而在ANZO中,N2p與Al3p電子態(tài)間的吸引勢較強,克服了受主間的排斥勢,削弱了N2p電子態(tài)的局域化,可提高N
3、的溶解度和摻雜的穩(wěn)定性。
論文采用水熱法制備了摻雜ZnO的納米棒陣列,并對其形貌、結(jié)構(gòu)和光學(xué)、電學(xué)性能進行了表征。ZnO納米棒的實驗結(jié)果顯示,ZnO種子層有利于ZnO納米棒的成核以及引導(dǎo)納米棒沿c軸垂直生長。當水熱反應(yīng)溫度低于95℃生長時,不容易得到小尺寸的納米棒(直徑一般大于1μm),高于95℃得到的納米棒長徑比更大,陣列的均勻性更好。當水熱反應(yīng)時間低于8h時,納米棒的長度和直徑的比例一般低于5,而高于8h生長時則大于5。在
4、此基礎(chǔ)上,我們研究了三種不同的水熱工藝制備Al-N共摻雜的ZnO納米棒陣列,第一種為采用ZnO種子層上的單步水熱工藝;第二種為采用 ZnO種子層的兩步水熱工藝;第三種為采用 AZO種子層的兩步水熱工藝。三種工藝得到的ANZO納米棒陣列均為(002)擇優(yōu)取向,且在可見光范圍的吸收明顯比未摻雜的氧化鋅增強,N/Al比越大,樣品對光的吸收越強,N/Al比為4.6時光學(xué)帶隙為2.88eV。最后,我們采用介電電泳技術(shù)將納米棒裝配在金屬微電極之間對
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