微波超寬帶GaN HEMT功率放大器研究.pdf

1、寬帶功率放大器廣泛應(yīng)用于電子戰(zhàn)（EW）、個(gè)人無線通信、遠(yuǎn)程遙感，雷達(dá)及航空應(yīng)用等各個(gè)方面，它具有較高的靈敏度，較大的動(dòng)態(tài)范圍等特點(diǎn)。這種廣泛的應(yīng)用需求一定程度上也推動(dòng)了對(duì)具有更寬帶寬、更高功率的新型半導(dǎo)體器件的研究進(jìn)展。本文正是基于第三代具有高功率密度，寬禁帶和高頻特性的GaN HEMT半導(dǎo)體材料進(jìn)行了兩級(jí)3-8GHz功率放大模塊的設(shè)計(jì)。
　　本文首先通過查閱大量的文獻(xiàn)資料，了解了寬帶功率放大器的應(yīng)用價(jià)值，并歸納了近幾十年來國(guó)內(nèi)外

2、的研究進(jìn)展和成果，分析了設(shè)計(jì)寬帶功放的難點(diǎn)。
　　其次介紹了設(shè)計(jì)寬帶功率放大器的基本理論知識(shí)，對(duì)偏置電路中無源器件的選擇和使用，扇形微帶線的寬帶特性進(jìn)行了描述，對(duì)實(shí)現(xiàn)寬帶匹配的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行了歸納和分析，從中選出適合本電路設(shè)計(jì)的最優(yōu)方法。
　　然后在ADS2011環(huán)境下設(shè)計(jì)仿真了兩級(jí)3-8GHz功率放大模塊。首先對(duì)所用管芯TGF2023-2-02及TGF2023-2-10進(jìn)行了建模；其次在HFSS中合理設(shè)置金絲鍵合線的結(jié)構(gòu)參數(shù)

3、并進(jìn)行仿真，然后運(yùn)用到電路設(shè)計(jì)中；頻率補(bǔ)償與多支節(jié)阻抗變換法同時(shí)用來實(shí)現(xiàn)寬帶性能；完成了兩個(gè)功放模塊的加工制作，并作了測(cè)試分析。
　　最終測(cè)試結(jié)果表明，驅(qū)動(dòng)級(jí)輸出功率在整個(gè)工作頻段范圍內(nèi)可達(dá)37～38.5dBm，小信號(hào)增益達(dá)到9.8dB以上，PAE（功率附加效率）為34.6％～49.3%；功率級(jí)在3-8GHz工作頻段內(nèi)最大輸出功率達(dá)到24W，輸出功率范圍為40～43.9dBm，小信號(hào)增益達(dá)8dB以上，PAE達(dá)到24.4%～47.7