AlGaN-GaN HEMT E類(lèi)功率放大器設(shè)計(jì).pdf

1、無(wú)線(xiàn)通訊技術(shù)的迅猛發(fā)展對(duì)功率放大器功率、頻率、高溫特性提出了更高的要求，第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體材料 GaN以其優(yōu)異的電學(xué)特性使得 AlGaN/GaN HEMT功率放大器成為研究熱點(diǎn)。本論文主要建立了AlGaN/GaN HEMT等效電路模型并基于模型設(shè)計(jì)GaN功率放大器。
　　本文首先對(duì)參數(shù)提取方法進(jìn)行研究，針對(duì)傳統(tǒng)模擬退火算法在優(yōu)化速度上的不足，對(duì)模擬退火算法在擾動(dòng)機(jī)制、退火方式、記憶功能和回火機(jī)制等方面進(jìn)行改進(jìn)，提出了一種改進(jìn)模

2、擬退火算法，Matlab計(jì)算結(jié)果表明該算法較改進(jìn)前速度提高約20％。
　　接著從AlGaN/GaN HEMT基本原理出發(fā)，通過(guò)在等效電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上增加RC子電路以描述電流崩塌，并在大信號(hào)模型上增添擬合參數(shù)的溫度特性以描述自加熱效應(yīng)，改進(jìn)了AlGaN/GaN HEMT等效電路模型。I-V仿真曲線(xiàn)與測(cè)試結(jié)果相比誤差在5%以?xún)?nèi)，電流崩塌仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果相比誤差小于15%。
　　基于建立的AlGaN/GaN HEMT等效電路模型設(shè)