GaN-基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的磁輸運(yùn)性質(zhì)研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩67頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、由于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料在高頻、高能電子器件中具有廣闊的應(yīng)用前景,所以近幾十年來(lái)該材料受到了人們的廣泛關(guān)注。理論上,通過(guò)提高勢(shì)壘層AlGaN中Al的含量可以提高載流子的濃度,然而這樣會(huì)增加AlGaN和GaN之間的晶格失配,進(jìn)而使霍爾遷移率降低。為了解決此問(wèn)題,Kuzmí等人提出利用AlInN代替AlGaN作為勢(shì)壘層,當(dāng)其中In的成分為18%時(shí),AlInN與GaN可以實(shí)現(xiàn)完美晶格匹配。本文利用MOCVD的方法制備了高質(zhì)量的AlGa

2、N/GaN、AlInN/AlN/GaN和AlInN/GaN/AlN/GaN異質(zhì)結(jié)樣品,系統(tǒng)地研究了它們的磁輸運(yùn)性質(zhì)。
  測(cè)量了AlGaN/GaN和AlInN/AlN/GaN兩個(gè)樣品不同溫度下(2-270K)的載流子濃度和霍爾遷移率,在整個(gè)溫區(qū)范圍內(nèi)AlInN/AlN/GaN中二維電子氣的濃度都要高于AlGaN/GaN中二維電子氣的濃度,然而AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中電子卻擁有更高的霍爾遷移率和更低的方塊電阻。在兩者的磁電阻中都觀

3、察到了SdH(Shubnikov-de Haas oscillations)振蕩現(xiàn)象,然而AlGaN/GaN中的振蕩明顯比AlInN/AlN/GaN樣品中的振蕩強(qiáng),表明在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中電子具有更高的量子遷移率。通過(guò)SdH振蕩的FFT(Fast Fourier Transformation)變換譜,可以知道兩個(gè)樣品中的電子均只占據(jù)最低的能級(jí)并且可以得到二維電子氣的濃度,利用這種方法得到的載流子濃度和霍爾測(cè)量得到的值基本一致,表

4、明兩個(gè)樣品中不存在平行電導(dǎo)。2K下,霍爾遷移率和量子遷移率的比值都遠(yuǎn)大于1,說(shuō)明在低溫下,電子受到的主要散射是小角散射,散射源可能來(lái)自勢(shì)壘層中的電離雜質(zhì)等。
  從AlInN/AlN/GaN和AlInN/GaN/AlN/GaN兩個(gè)樣品的AFM圖像可以觀察到GaN插入層的存在有效地降低了樣品的粗糙度。同時(shí),GaN插入層增大了二維電子氣波函數(shù)與AlInN勢(shì)壘層之間的距離,從而降低了二維電子氣波函數(shù)進(jìn)入勢(shì)壘層的可能性,進(jìn)而降低了合金無(wú)序

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論