磷光摻雜體系的瞬態(tài)發(fā)光衰減行為研究.pdf

1、界面電荷及陷阱電荷影響有機電致磷光器件(PhOLEDs)載流子的注入，從而影響器件性能，而其對摻雜體系的發(fā)光衰減動態(tài)過程的影響鮮有研究。本文從有機電致磷光的器件結構出發(fā)，利用瞬態(tài)電致發(fā)光測量方法研究摻雜體系發(fā)光層內的界面電荷和陷阱電荷對瞬態(tài)發(fā)光衰減行為的影響，分析實驗中出現的發(fā)光現象，研究和分析重要物理過程及其機理。
　　(1)有機界面能級勢壘阻礙載流子的注入，同時也引起界面內載流子的積累。首先分別研究了空穴傳輸層和空穴阻擋層對發(fā)

2、光瞬態(tài)衰減過程的影響，實驗發(fā)現功能層材料的選擇對瞬態(tài)發(fā)光衰減影響大。實驗發(fā)現，驅動電壓截止后，發(fā)光層內電子積累多的器件容易觀察到瞬時過沖峰。施加第二個turn-off電壓研究發(fā)光小峰時發(fā)現發(fā)光小峰來自發(fā)光層內積累電荷及陷阱電荷的再復合過程。此外，旋涂法成膜質量不及蒸鍍法致密，有機層界面缺陷導致陷阱電荷多，引起發(fā)光衰減的長拖尾。
　　(2)為進一步研究和分析發(fā)光衰減瞬時過沖現象的物理過程，研究發(fā)光層內客體引起的電荷俘獲及積累對有機電

3、致磷光發(fā)光衰減的影響，研究了發(fā)光瞬時過沖的激子復合和發(fā)光機理受主體材料和客體摻雜濃度的影響。不同主客體摻雜的瞬態(tài)電致發(fā)光衰減研究中發(fā)現，只在電子傳輸型的TAZ:Ir(ppy)3器件觀察到發(fā)光衰減瞬時過沖現象。分析摻雜器件TAZ: Ir(ppy)3的瞬時過沖強度與主體材料以及摻雜濃度的依賴關系，進一步發(fā)現，瞬時過沖強度主要受限于發(fā)光層內部積累的電子載流子;TAZ: Ir(ppy)3發(fā)光層內電子容易被客體材料分子俘獲并積累，電場突變時陷阱電

4、子容易跳躍到主體材料上并與主體材料上積累的空穴形成激子，激子能量傳遞到客體材料上并復合發(fā)光繼而出現發(fā)光強度的瞬時過沖現象。
　　(3)界面電荷形成的電場阻礙載流子的注入與傳輸，是引起效率下降的重要因素。瞬態(tài)電流響應可給出界面電荷及空間電荷放電過程的信息，我們通過瞬態(tài)電流測量方法研究了磷光摻雜體的界面電荷。脈沖電壓激發(fā)下的瞬態(tài)電流曲線可分成三部分，正向電流尖峰Ip，穩(wěn)態(tài)電流Is，反向電流尖峰In。實驗發(fā)現穩(wěn)態(tài)電流Is即為流經器件的工