利用原子層沉積方法制備硅基MIS憶阻器件研究.pdf

1、中圖分類號：學校代碼：10055UDC：密級：公開碩士學位論文利用原子層沉積方法制備硅基MIS憶阻器件研究InvestigationofthesiliconMISmemristivedevicespreparedbyatomiclayerdeposition論文作者劉曉芳指導教師孫甲明教授申請學位工學碩士培養(yǎng)單位物理科學學院學科專業(yè)材料物理與化學研究方向硅光子學與儲能器件答辯委員會主席張存洲評閱人趙麗娟曹學偉南開大學研究生院二○一五年五

2、月南開大學學位論文原創(chuàng)性聲明南開大學學位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學位論文，是本人在導師指導下進行研究工作所取得的研究成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本學位論文的研究成果不包含任何他人創(chuàng)作的、已公開發(fā)表或者沒有公開發(fā)表的作品的內(nèi)容。對本論文所涉及的研究工作做出貢獻的其他個人和集體，均已在文中以明確方式標明。本學位論文原創(chuàng)性聲明的法律責任由本人承擔。學位論文作者簽名：2015年5月25日非公開學位論文標注說明(本頁表中填寫內(nèi)容