氫對PECVD法制備硅基薄膜沉積速率、膜結(jié)構(gòu)及性能的影響.pdf

1、硅基薄膜作為一類重要的光電功能材料，由于其獨特的性能，使其在新能源、信息顯示、光敏器件等高科技領(lǐng)域具有十分重要的應(yīng)用價值。當(dāng)前，氫化非晶硅(a-Si: H)薄膜已經(jīng)廣泛應(yīng)用于太陽能電池、液晶顯示等領(lǐng)域。但是由于其含有大量的缺陷態(tài)（主要是懸掛鍵），使其在實際應(yīng)用方面受到一定限制，其中最主要的問題是光致衰退效應(yīng)。各國研究人員經(jīng)過大量研究，逐漸認識到氫對硅基薄膜的結(jié)構(gòu)和性能有非常重要的影響作用。一方面，氫以單氫化合物(Si-H)的方式與硅基薄

2、膜相結(jié)合，起飽和薄膜中懸掛鍵的作用。這使得氫化非晶硅的缺陷態(tài)密度比未氫化的非晶硅大大降低，從而使其符合器件級材料的要求。另一方面，氫也以多氫化合物(Si-H2、Si-H3和(Si-H2)n)的方式與硅基薄膜相結(jié)合，從而引入新的缺陷，使帶隙中的局域態(tài)密度增大。在硅基薄膜的制備過程中，氫對薄膜的晶化有至關(guān)重要的作用，而薄膜的晶化又影響其光電性能，因此研究氫對硅基薄膜的作用具有十分重要的意義。
　　 本文對采用PECVD系統(tǒng)制備的硅基

3、薄膜進行了光電性能的研究。本論文的研究內(nèi)容主要由四大部分組成。第一，通過選擇不同襯底，設(shè)計不同工藝條件，制備不同結(jié)構(gòu)和性能的硅基薄膜；第二，通過傅立葉變換紅外透射譜對硅基薄膜的氫含量及其鍵合模式進行分析；第三，通過紫外-可見光光透射譜研究硅基薄膜的光學(xué)性能；第四，通過靜電計分析研究硅基薄膜的電學(xué)性能。本論文中，我們著重研究了氫稀釋率對硅基薄膜生長速率、氫含量及基鍵合模式影響，氫含量及其鍵合模式對薄膜光電性能結(jié)構(gòu)的影響。本論文也簡單探討了