基于二維糾錯碼的NoC容MBU軟錯誤結(jié)構(gòu)加固技術(shù).pdf

1、隨著芯片集成度的提高和應(yīng)用需求的推動，片上系統(tǒng)逐漸由基于總線的單核或少量多核結(jié)構(gòu)發(fā)展到基于片上網(wǎng)絡(luò)的大量多核結(jié)構(gòu)。與此同時，電路器件工藝技術(shù)的快速發(fā)展，使得器件特征尺寸越來越小，單位面積上晶體管數(shù)目增多、器件間距離縮小。在此背景下，高能粒子轟擊使得多個相鄰電路節(jié)點同時充電和放電，以致時序邏輯單元中多位數(shù)據(jù)同時翻轉(zhuǎn)(Multiple Bit Updates,MBUs)的次數(shù)急劇增加。由于片上網(wǎng)絡(luò)(NoC)中多位錯產(chǎn)生的概率隨著集成度的提高

2、而增加，在此情況下，如何進行NoC容MBU軟錯誤設(shè)計已經(jīng)成為一個亟待解決的問題。
　　針對上述問題，本文提出將二維糾錯編碼應(yīng)用于片上網(wǎng)絡(luò)虛通道存儲空間，進行數(shù)據(jù)的檢錯和糾錯，實現(xiàn)對深納米級下NoC容MBU軟錯誤結(jié)構(gòu)的加固。本文的主要研究內(nèi)容如下：
　　1)針對當(dāng)前深納米條件下NoC中MBU軟錯誤激增這一現(xiàn)象，本文提出將二維糾錯碼應(yīng)用于片上網(wǎng)絡(luò)虛通道。其特點是多位錯誤覆蓋率高、實現(xiàn)費用低、節(jié)省面積等。本文從理論和實驗結(jié)果證明了

3、，在具有相同糾錯能力的前提下，深納米級NoC容MBU軟錯誤的二維糾錯碼所需的額外面積開銷遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于常規(guī)糾錯編碼。
　　2)本文針對片上網(wǎng)絡(luò)虛通道空間采用高級語言（C++）建模，快速實現(xiàn)二維糾錯碼，實驗驗證了二維糾錯碼容MBU軟錯誤的準(zhǔn)確性和適用性。將二維糾錯編碼的NoC容MBU軟錯誤的性能與同等情況下的常規(guī)ECC糾錯編碼的性能進行比較。結(jié)果表明，在多位錯情況下，NoC中的二維糾錯編碼的糾正率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于常規(guī)糾錯編碼。
　　3)本文