淺槽功率DMOS器件的設(shè)計.pdf

1、由于近年來通信與自動化產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也在不斷地拉動對功率器件的需求,并且隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷開發(fā),功率器件的生產(chǎn)成本,性能與尺寸都有了極大改善,其應(yīng)用領(lǐng)域十分寬廣。槽柵DMOS器件相比傳統(tǒng)平面型器件擁有更低的導(dǎo)通電阻,但是制造工藝卻是更加復(fù)雜,我國在此領(lǐng)域的自主設(shè)計能力相較國外大公司還較弱。本文研究設(shè)計了一種淺槽柵DMOS器件具有更低導(dǎo)通電阻以及更寬的安全工作區(qū),因而擁有一定的應(yīng)用價值。
　　本文內(nèi)容如下:
　　首先介紹了淺

2、溝槽柵DMOS器件的主要電學(xué)參數(shù)并給出對應(yīng)的物理模型,為后續(xù)的設(shè)計過程提供理論依據(jù)。并對現(xiàn)有的DMOS元胞結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析整理,對比其各自優(yōu)劣。
　　在分析的基礎(chǔ)上初步確定-35V耐壓P溝道淺槽DMOS的元胞結(jié)構(gòu),形狀,重要參數(shù)的取值區(qū)間,并結(jié)合現(xiàn)有生產(chǎn)條件設(shè)計工藝流程,并在此基礎(chǔ)上通過仿真軟件MEDICI進(jìn)行仿真優(yōu)化以得到符合要求的元胞參數(shù)。
　　在仿真結(jié)果的基礎(chǔ)上,進(jìn)行不同的版圖繪制,并通過不同的分片條件流片進(jìn)行對比,最終流