一維二氧化鈦的可控合成、表面修飾及光電性能研究.pdf

1、TiO2半導體納米材料由于具有優(yōu)異的光電特性、化學性質穩(wěn)定、無毒性等優(yōu)點，引起了越來越多學者的廣泛的關注和研究。已有的研究證明其在光催化、太陽能電池、氣體傳感等方面有良好的應用前景。相對TiO2薄膜和納米顆粒，光生載流子在一維納米結構中有更高的傳輸效率，使其在光電器件中有優(yōu)異的表現(xiàn)。但是由于TiO2本身的物性，實驗中鮮有報道氣相法在相對低溫下(＜850℃)大量地合成高質量的一維TiO2納米結構。本文主要探索一種簡單、經(jīng)濟的方法合成高質量

2、一維二氧化鈦納米結構，并實現(xiàn)形貌可控性生長;在此基礎上對不同形貌的微觀結構及其光電特性進行探索性研究，主要結果如下:
　　 (1)低溫下(680℃)通過直接加熱鈦片合成大量高質量的TiO2納米線。納米線表面光滑，尺寸保持在60-90 nm，長度介于50-100 um之間;XRD、單根納米線拉曼散射光譜和TEM證明了實驗中所合成的納米線是高結晶度的純凈金紅石相。納米線的生長機理更有可能是VLS（氣—液—固）形式，Pd顆粒不僅作為納

3、米線生長的催化劑，而且能構有效地降低TiO2納米線的生長溫度。
　　 (2)成功制備了不同形貌的TiO2納米材料。通過改變Pd催化劑的濃度和反應溫度，首次實現(xiàn)了TiO2納米材料的可調性合成（線—帶狀—塔狀—顆粒）。結合近場光學顯微鏡技術測量到單根納米帶的拉曼Mapping，Ti/O之間的化學計量比是Eg和A1g振動模式變化的主要原因;這種測量手段也為研究光子與一維TiO2納米結構的原子的相互作用和聲子在一維結構中運動提供了途徑。

4、
　　 (3)基于所合成的TiO2納米線，采用化學浴沉積法(CBD)成功制備了CdS殼層的厚度(30-60 nm)可調的一維TiO2@CdS核殼結構。不同包覆層厚度的一維TiO2@CdS核殼結構拉曼光譜研究發(fā)現(xiàn)TiO2/CdS界面的光生電荷轉移對CdS和TiO2拉曼響應均有增強效應。結合表面光電壓譜研究發(fā)現(xiàn)表面包覆層的厚度對TiO2/CdS界面光生電荷轉移有顯著的影響。表面CdS包覆層厚度對拉曼和表面光伏響應影響的研究表明電子在