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文檔簡介
1、TeO2作為寬禁帶的P型半導體材料，對氧化還原性氣體具有極高的靈敏度，在氣敏傳感方面展現(xiàn)了優(yōu)越的性能。本文在室溫下對TeO2準一維納米結構的氣敏性能進行了深入的研究。
以純凈的Te粉為原料，以鍍有2納米金膜的硅片作為襯底，采用化學氣相沉積法制備出TeO2準一維納米結構。采用XRD，SEM表征TeO2準一維納米結構的相組成以及微觀結構。結果表明，TeO2納米線具有四方相晶體結構，長度約為幾十微米，直徑約為50～200nm之間。在
2、TeO2納米線的頂端未發(fā)現(xiàn)Au顆粒，表明TeO2納米線按照氣—固機制進行生長。
利用金屬絲掩膜法，構筑了基于單根TeO2準一維納米結構的“金屬/TeO2準一維納米結構/金屬”電阻型氣敏傳感器件。室溫下測試了傳感器件在不同環(huán)境（空氣、真空、H2S）下的電輸運性能，探討了氣體吸附對器件電導率的影響。在大氣中，由于氧分子的吸附，增加了空穴濃度，器件的電導增強，而在強還原性硫化氫氣體中，器件電導減少。同時發(fā)現(xiàn)器件具有憶阻效應，空氣中氧
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