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文檔簡介
1、本文提出了一種新穎的電調(diào)紅外譜成像探測方法,所發(fā)展的核心性級聯(lián)譜器件基于電控液晶Fabry-Perot(LC-FP)干涉濾波原理,使光波譜線圖的波峰隨控制信號電壓幅度的改變產(chǎn)生平移;對比了LC-FP器件較微機械與微光電Fabry-Perot(MEMS-FP)結(jié)構(gòu)所存在的優(yōu)勢。一般而言,MEMS-FP結(jié)構(gòu)需要通過機械平移,等待光極板移動到固定位置后才能輸出所選擇的波譜成份并完成成像探測,而LC-FP器件只需調(diào)節(jié)其外加信號電壓就可以達到快速
2、改變譜線圖的目的,并具有高的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
基于電場作用下液晶分子的指向矢會發(fā)生明顯偏轉(zhuǎn)這一原理,當改變施加在LC-FP兩基板上的信號電壓時,F(xiàn)P腔內(nèi)的液晶材料的折射率將是可調(diào)變的。所發(fā)展的混合集成器件特點是:電調(diào)紅外譜成像器件主要由兩個LC-FP器件級聯(lián)而成,且兩個獨立FP器件的腔深不同。當分別對兩個器件加載信號電壓時,級聯(lián)器件的輸出光波譜線圖可以呈單峰或多峰形態(tài)。
LC-FP器件由注入在FP腔內(nèi)的液晶和依次鍍有電極
3、材料與高反膜的兩個極板組成。由于所發(fā)展的器件工作在紅外波段,鋁電極材料在紅外波段的反射率較高,我們將電極與高反膜合二為一用鋁代替。由于譜器件本身需要得到高透過率的波譜,我們選擇硒化鋅作為器件的襯底材料。
我們基于標準半導體制作工藝,在制作單片器件和級聯(lián)器件時采用制作步驟略有差別的工藝方法,得到中紅外電控LC-FP器件?;谒罱ǖ墓鈱W測試平臺,在不同的信號電壓下觀察發(fā)現(xiàn)圖像亮度隨電壓的變化,其明暗程度發(fā)生相應改變,圖像邊緣輪廓
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