介電材料的制備與表征.pdf

1、現(xiàn)代移動(dòng)通信、無線局域網(wǎng)等技術(shù)的革新，使得這些器件向高頻化、片層化、模塊化發(fā)展，這對(duì)介電材料的性能提出了更高的要求。本文結(jié)合當(dāng)今介電材料的研究背景，通過共沉淀法分別制備了具有低溫?zé)Y(jié)特性的(Zn, Mg)TiO3（ZMTO）和介電常數(shù)高、介電損耗適中的Ba0.5Sr0.5TiO3（BST），并對(duì)所制備的兩種介質(zhì)陶瓷材料進(jìn)行了系統(tǒng)的分析。
　?。?）以工業(yè)級(jí)TiOSO4為鈦源，通過簡(jiǎn)單共沉淀方法，制備了低溫?zé)Y(jié)ZMTO。通過TG和F

2、T-IR分析了前驅(qū)體的熱失重行為和結(jié)構(gòu)變化過程。利用XRD手段重點(diǎn)考察了不同沉淀pH條件和煅燒溫度對(duì)ZMTO粉體成分、相組分、晶體結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)合SEM和EDS的分析結(jié)果，發(fā)現(xiàn)當(dāng)pH為9時(shí)，產(chǎn)物均具有良好的六面體結(jié)構(gòu)， Mg元素的摻雜量為2.29 at%。在108~109 Hz的測(cè)試頻率下，以最優(yōu)條件制備的ZMTO產(chǎn)品具有26~24的介電常數(shù)εr和9.82×10-4~6.35×10-4的介電損耗正切角tanδ。
　?。?）實(shí)驗(yàn)以T

3、iOCl2為鈦源，制備并討論了Ba、Ca摻雜鈦酸鍶體系的介電性能，結(jié)果顯示，Ba摻雜可以使鈦酸鍶體系的介電常數(shù)得到大幅度提升。接著通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)隨著Ba摻雜量的升高，Ba1-xSrxTiO3晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，進(jìn)而導(dǎo)致其介電性能發(fā)生顯著變化，當(dāng)Ba:Sr=1:1時(shí)，介電性能最好。最后，通過一系列表征，對(duì)比了直接熔鹽共沉淀法與普通共沉淀法所制備的Ba0.5Sr0.5TiO3的性質(zhì)。TG、XRD和SEM分析結(jié)果顯示，直接熔鹽共沉淀法制備的BST