多孔低介電聚酰亞胺薄膜的制備及其性能表征.pdf

1、芯片制造技術(shù)的進(jìn)步，對用作互聯(lián)導(dǎo)線間電介質(zhì)的低介電常數(shù)絕緣材料產(chǎn)生了需求。聚酰亞胺獨(dú)特的主鏈結(jié)構(gòu)，賦予其優(yōu)異的物理、化學(xué)性能，包括熱穩(wěn)定性，化學(xué)穩(wěn)定性，低介電性能和高絕緣性能，使其成為潛在的電介質(zhì)材料，但其介電常數(shù)已經(jīng)不能滿足當(dāng)前需求。本文通過引入氣孔方法降低聚酰亞胺薄膜的介電常數(shù)，制備了不同孔隙率的多孔聚酰亞胺薄膜。通過復(fù)合氧化石墨烯提高多孔膜的力學(xué)性能，同時研究了氧化石墨烯對聚酰亞胺薄膜介電性能的影響。
　　本文采用六種不同的

2、方法合成了聚酰胺酸，測量產(chǎn)物的分子量，確定了合成聚酰胺酸的最佳方法。分別采用熱酰亞胺化、催化酰亞胺化和化學(xué)酰亞胺化三種方法進(jìn)行酰亞胺化反應(yīng)，探究了合成聚酰亞胺的條件，發(fā)現(xiàn)加入叔胺作為催化劑，可顯著降低聚酰胺酸的熱酰亞胺化溫度，以醋酸酐為脫水劑，三乙胺為催化劑，可以實(shí)現(xiàn)聚酰胺酸的完全酰亞胺化。制備了單分散的二氧化硅微球，以此為填料，采用原位聚合法制備了復(fù)合膜，分析了微球表面修飾對復(fù)合膜拉伸性能和介電性能的影響。在氫氟酸中對復(fù)合膜內(nèi)的二氧化