鋁摻雜氧化鋅薄膜后續(xù)處理及其復(fù)合膜制備工藝研究.pdf

1、鋁摻雜氧化鋅(AZO)薄膜是典型的氧化鋅材料。伴隨著太陽(yáng)能電池等新興高技術(shù)行業(yè)的興起，AZO薄膜展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力，研究者對(duì)AZO的研究熱情與日俱增。本文利用磁控濺射法，制備出了ZnO薄膜和AZO薄膜。對(duì)ZnO薄膜和AZO薄膜分別做了退火處理，研究了退火處理主要參數(shù)（溫度、時(shí)間、氣氛）對(duì)其晶體結(jié)構(gòu)和光學(xué)、電學(xué)性能的影響;用NH4Cl水溶液作為刻蝕劑，對(duì)AZO薄膜做刻蝕處理，研究刻蝕參數(shù)對(duì)其表面形貌和光學(xué)、電學(xué)性能的影響;制備出了兩種結(jié)

2、構(gòu)的AZO復(fù)合膜，研究了復(fù)合膜相關(guān)的結(jié)構(gòu)、表面形貌、光學(xué)和電學(xué)性能。具體研究?jī)?nèi)容如下:
　　 (1)采用直流磁控濺射法，以載玻片作為襯底，淀積出ZnO薄膜。在常壓氫氣氣氛中，以不同溫度對(duì)樣品進(jìn)行退火處理。研究了退火溫度對(duì)ZnO晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明，隨著退火溫度的增加，ZnO晶體質(zhì)量變好，樣品的方塊電阻降低，光透過率下降。在退火溫度為500℃時(shí)，樣品具有最佳綜合光電性能，其在360～960nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的平均透

3、光率為76.35％，方塊電阻為6.3kΩ/□。
　　 (2)利用正交實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)分析退火處理的主要參數(shù):溫度、時(shí)間、氣氛對(duì)薄膜綜合光電指數(shù)的影響程度，結(jié)果表明，重要性依次是:氣氛、溫度、時(shí)間。
　　 (3)在NH4Cl水溶液中對(duì)AZO薄膜做刻蝕處理，分析刻蝕時(shí)間和NH4Cl質(zhì)量百分比對(duì)薄膜表面形貌、光學(xué)和電學(xué)性能的影響。結(jié)論如下:隨著刻蝕時(shí)間或NH4Cl質(zhì)量百分比的增加，薄膜的光透過率下降，薄膜對(duì)光的散射能力增強(qiáng)，表面粗糙度