藍(lán)光超分辨磁光存儲(chǔ)介質(zhì)和性能的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、建立在磁光克爾效應(yīng)基礎(chǔ)上的磁光存儲(chǔ)技術(shù)兼有磁存儲(chǔ)和光存儲(chǔ)的優(yōu)點(diǎn)。藍(lán)光技術(shù)和超分辨讀出技術(shù)是提高磁光存儲(chǔ)密度的兩個(gè)重要手段，為了能進(jìn)一步提高其存儲(chǔ)密度，研究提出將兩者的優(yōu)勢(shì)相結(jié)合，以期制備出具有更高存儲(chǔ)密度的藍(lán)光超分辨存儲(chǔ)介質(zhì)，這對(duì)于磁光存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展具有重要的意義。 本工作采用直流磁控濺射法制備了Pt3Co/TbFeCo和NdGdFeCo/TbFeCo交換耦合雙層薄膜，利用表面磁光克爾效應(yīng)(SMOKE)系統(tǒng)、振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VS

2、M)、Kerr譜儀等儀器測(cè)試了薄膜的磁及磁光性能，同時(shí)研究了雙層薄膜的藍(lán)光超分辨交換耦合性能。并對(duì)單層膜的制備工藝對(duì)性能的影響做了深入的研究。 通過(guò)制備工藝的調(diào)整，得到了平面磁化的Pt3Co與NdGdFeCo合金薄膜，垂直磁化的TbFeCo非晶合金薄膜。在80W、3.0Pa，基片溫度300℃生長(zhǎng)10nm條件下制備得到了Pt3Co合金薄膜，其特性為：Tc=160℃、Hc=100Oe。在60W、0.8Pa室溫下生長(zhǎng)50nm條件下制備

3、得到了Nd12Gd23(Fe75Co25)65非晶合金薄膜，其特性為：Hc=3000e、θk=0.42°(λ=300nm)、Tcomp=90℃的。在60W、1.0Pa室溫下生長(zhǎng)50nm條件下制備得到了Tb20(Fe85Co15)80非晶合金薄膜，其特性為：Hc=3500Oe、Tcomp小于室溫、Tc≈250℃的。各薄膜的性能表明，Pt3Co和NdGdFeCo合金薄膜可以作為藍(lán)光超分辨的讀出層，TbFeCo合金薄膜為記錄層介質(zhì)。

4、通過(guò)對(duì)耦合雙層膜中各單層膜工藝的調(diào)整，首次在不間斷真空的條件下制備了Pt3Co/TbFeCo和NdGdFeCo/TbFeCo雙層薄膜。Pt3Co/Tb20(Fe85Co15)80雙層薄膜在160℃時(shí)讀出層(Pt3Co)磁化方向由平面變?yōu)榇怪迸c記錄層方向一致；當(dāng)Nd12Gd23(Fe75Co25)65/Tb20(Fe85Co15)80雙層薄膜在溫度為90℃時(shí)，讀出層(Nd12Gd23(Fe75Co25)65)磁化方向轉(zhuǎn)變成與記錄層方向一致

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